Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
ATP207-TL-H
ON Semiconductor

ATP207-TL-H

BAGIAN SAHAM: 9430

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 33A, 10V,

Wishlist.
ATP302-TL-H
ON Semiconductor

ATP302-TL-H

BAGIAN SAHAM: 95812

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
ATP401-TL-H
ON Semiconductor

ATP401-TL-H

BAGIAN SAHAM: 50250

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BS170-D27Z
ON Semiconductor

BS170-D27Z

BAGIAN SAHAM: 61

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BVSS123LT1G
ON Semiconductor

BVSS123LT1G

BAGIAN SAHAM: 129510

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.
BBS3002-TL-1E
ON Semiconductor

BBS3002-TL-1E

BAGIAN SAHAM: 33736

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUZ11-NR4941
ON Semiconductor

BUZ11-NR4941

BAGIAN SAHAM: 86

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
BSS138W
ON Semiconductor

BSS138W

BAGIAN SAHAM: 146564

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BVSS84LT1G
ON Semiconductor

BVSS84LT1G

BAGIAN SAHAM: 114564

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Wishlist.
BMS4007-1E
ON Semiconductor

BMS4007-1E

BAGIAN SAHAM: 42890

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BFL4026-1E
ON Semiconductor

BFL4026-1E

BAGIAN SAHAM: 34306

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.
BMS3004-1E
ON Semiconductor

BMS3004-1E

BAGIAN SAHAM: 19168

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 68A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 34A, 10V,

Wishlist.
BBL4001-1E
ON Semiconductor

BBL4001-1E

BAGIAN SAHAM: 25429

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 74A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

Wishlist.
BMS3003-1E
ON Semiconductor

BMS3003-1E

BAGIAN SAHAM: 19146

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 78A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Wishlist.
BSS138-T
ON Semiconductor

BSS138-T

BAGIAN SAHAM: 2354

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BXL4004-1E
ON Semiconductor

BXL4004-1E

BAGIAN SAHAM: 2247

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BMS3004-1EX
ON Semiconductor

BMS3004-1EX

BAGIAN SAHAM: 2159

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V,

Wishlist.
BFL4001-1EX
ON Semiconductor

BFL4001-1EX

BAGIAN SAHAM: 2065

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Wishlist.
BBL4001
ON Semiconductor

BBL4001

BAGIAN SAHAM: 2123

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 74A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

Wishlist.
BS270-D74Z
ON Semiconductor

BS270-D74Z

BAGIAN SAHAM: 8648

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
BS170-D74Z
ON Semiconductor

BS170-D74Z

BAGIAN SAHAM: 8637

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS170-D26Z
ON Semiconductor

BS170-D26Z

BAGIAN SAHAM: 8681

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS107AG
ON Semiconductor

BS107AG

BAGIAN SAHAM: 1926

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.
BFL4036-1E
ON Semiconductor

BFL4036-1E

BAGIAN SAHAM: 6274

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
BFL4037-1E
ON Semiconductor

BFL4037-1E

BAGIAN SAHAM: 6199

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
BFL4007-1E
ON Semiconductor

BFL4007-1E

BAGIAN SAHAM: 1833

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
BFL4004-1E
ON Semiconductor

BFL4004-1E

BAGIAN SAHAM: 1834

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

Wishlist.
BFL4001-1E
ON Semiconductor

BFL4001-1E

BAGIAN SAHAM: 1889

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Wishlist.
BBS3002-DL-1E
ON Semiconductor

BBS3002-DL-1E

BAGIAN SAHAM: 33450

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BSS138-D87Z
ON Semiconductor

BSS138-D87Z

BAGIAN SAHAM: 6186

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BMS4003
ON Semiconductor

BMS4003

BAGIAN SAHAM: 1258

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
BXL4001
ON Semiconductor

BXL4001

BAGIAN SAHAM: 1160

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

Wishlist.
BMS3003
ON Semiconductor

BMS3003

BAGIAN SAHAM: 1228

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 78A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Wishlist.
BFL4007
ON Semiconductor

BFL4007

BAGIAN SAHAM: 1221

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
BFL4036
ON Semiconductor

BFL4036

BAGIAN SAHAM: 1229

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
BFL4004
ON Semiconductor

BFL4004

BAGIAN SAHAM: 1163

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

Wishlist.