Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Nexperia USA Inc.

PMZB550UNEYL

BAGIAN SAHAM: 180213

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN041-80YLX

BAGIAN SAHAM: 126580

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV50UPE,215

BAGIAN SAHAM: 147116

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

NX3008PBK,215

BAGIAN SAHAM: 139409

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMZ290UNE2YL

BAGIAN SAHAM: 130425

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

Wishlist.

PSMN4R0-30YL,115

Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-30YL,115

BAGIAN SAHAM: 133524

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV48XPAR

BAGIAN SAHAM: 125231

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wishlist.

PSMN020-100YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN020-100YS,115

BAGIAN SAHAM: 189766

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMPB33XP,115

BAGIAN SAHAM: 189292

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Wishlist.

PSMN2R8-40PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-40PS,127

BAGIAN SAHAM: 38801

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV33UPE,215

BAGIAN SAHAM: 199109

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMZB290UNE,315

BAGIAN SAHAM: 111836

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

PSMN4R3-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-100PS,127

BAGIAN SAHAM: 23900

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV30XPEAR

BAGIAN SAHAM: 108272

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

PSMN5R0-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-80PS,127

BAGIAN SAHAM: 38384

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

PSMN3R3-40YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS,115

BAGIAN SAHAM: 164155

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PML260SN,118

BAGIAN SAHAM: 143183

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 294 mOhm @ 2.6A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMPB10XNEZ

BAGIAN SAHAM: 181421

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMPB23XNEZ

BAGIAN SAHAM: 124658

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PHP23NQ11T,127

BAGIAN SAHAM: 71793

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 110V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

PSMN034-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN034-100PS,127

BAGIAN SAHAM: 62612

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMZ600UNEYL

BAGIAN SAHAM: 177703

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Wishlist.

PSMN1R2-25YLC,115

Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC,115

BAGIAN SAHAM: 134456

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMCM4401VPEZ

BAGIAN SAHAM: 102564

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMCM4401UNEZ

BAGIAN SAHAM: 162770

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V,

Wishlist.

PSMN4R6-60PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60PS,127

BAGIAN SAHAM: 39675

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN3R8-100BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN3R8-100BS,118

BAGIAN SAHAM: 41338

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN021-100YLX

BAGIAN SAHAM: 167405

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV50XPR

BAGIAN SAHAM: 136553

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-30YLDX

BAGIAN SAHAM: 160382

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.42 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMZ600UNELYL

BAGIAN SAHAM: 129738

Tipe FET: N-Channel, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMZ370UNEYL

BAGIAN SAHAM: 109327

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMCM6501UNEZ

BAGIAN SAHAM: 195673

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMZB350UPE,315

BAGIAN SAHAM: 138063

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMCM4401UPEZ

BAGIAN SAHAM: 142773

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMXB43UNEZ

BAGIAN SAHAM: 21530

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Wishlist.

1135

«
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
»