Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
PSMN7R0-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100BS,118

BAGIAN SAHAM: 55875

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN3R3-60PLQ
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-60PLQ

BAGIAN SAHAM: 27251

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN5R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-100PS,127

BAGIAN SAHAM: 22124

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN2R0-30PL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-30PL,127

BAGIAN SAHAM: 42173

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PHB191NQ06LT,118
Nexperia USA Inc.

PHB191NQ06LT,118

BAGIAN SAHAM: 67371

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN8R7-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN8R7-80BS,118

BAGIAN SAHAM: 87221

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
PSMN7R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.

PSMN7R8-100PSEQ

BAGIAN SAHAM: 31596

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN6R5-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80PS,127

BAGIAN SAHAM: 38019

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN6R3-120PS
Nexperia USA Inc.

PSMN6R3-120PS

BAGIAN SAHAM: 23121

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN9R5-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-100BS,118

BAGIAN SAHAM: 72964

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMNR90-30BL,118
Nexperia USA Inc.

PSMNR90-30BL,118

BAGIAN SAHAM: 42984

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN017-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN017-80BS,118

BAGIAN SAHAM: 121312

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
PSMN6R5-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80BS,118

BAGIAN SAHAM: 73024

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN1R1-30EL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-30EL,127

BAGIAN SAHAM: 26255

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PHB47NQ10T,118
Nexperia USA Inc.

PHB47NQ10T,118

BAGIAN SAHAM: 75280

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN4R2-30MLDX

BAGIAN SAHAM: 114488

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PHB20N06T,118
Nexperia USA Inc.

PHB20N06T,118

BAGIAN SAHAM: 191359

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN1R6-30PL,127

BAGIAN SAHAM: 22831

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN012-60YS,115

BAGIAN SAHAM: 149981

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN3R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN3R5-30YL,115

BAGIAN SAHAM: 192264

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN3R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-60ES,127

BAGIAN SAHAM: 31195

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN2R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-30YL,115

BAGIAN SAHAM: 195660

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN015-60PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN015-60PS,127

BAGIAN SAHAM: 64261

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN4R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100PSEQ

BAGIAN SAHAM: 17601

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-30YLC,115

BAGIAN SAHAM: 119194

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN7R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100PS,127

BAGIAN SAHAM: 38971

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN1R9-40PLQ
Nexperia USA Inc.

PSMN1R9-40PLQ

BAGIAN SAHAM: 21760

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PHP30NQ15T,127
Nexperia USA Inc.

PHP30NQ15T,127

BAGIAN SAHAM: 46960

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN3R3-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-80PS,127

BAGIAN SAHAM: 23446

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN017-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN017-80PS,127

BAGIAN SAHAM: 59097

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
PH955L,115
Nexperia USA Inc.

PH955L,115

BAGIAN SAHAM: 62022

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PMXB65UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB65UPEZ

BAGIAN SAHAM: 100221

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Wishlist.
PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.

PSMN165-200K,518

BAGIAN SAHAM: 132385

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R2-40PS,127

BAGIAN SAHAM: 31848

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN003-30P,127
Nexperia USA Inc.

PSMN003-30P,127

BAGIAN SAHAM: 71600

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN8R5-100ESQ
Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-100ESQ

BAGIAN SAHAM: 39385

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.