Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

NX138BKWX

NX138BKWX

BAGIAN SAHAM: 120725

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
PSMN2R0-25YLDX

PSMN2R0-25YLDX

BAGIAN SAHAM: 188677

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.09 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PMN16XNEX

PMN16XNEX

BAGIAN SAHAM: 124752

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Wishlist.
PMPB25ENEX

PMPB25ENEX

BAGIAN SAHAM: 9980

Wishlist.
PMPB29XPEAX

PMPB29XPEAX

BAGIAN SAHAM: 9982

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.
PSMN9R1-30YL,115

PSMN9R1-30YL,115

BAGIAN SAHAM: 159736

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PMN45EN,135

PMN45EN,135

BAGIAN SAHAM: 1093

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
PSMN1R5-40PS,127

PSMN1R5-40PS,127

BAGIAN SAHAM: 22970

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN2R8-40BS,118

PSMN2R8-40BS,118

BAGIAN SAHAM: 75299

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
PMZ760SN,315

PMZ760SN,315

BAGIAN SAHAM: 5704

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 300mA, 10V,

Wishlist.
PSMN2R0-60PS,127

PSMN2R0-60PS,127

BAGIAN SAHAM: 23879

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN3R0-60PS,127

PSMN3R0-60PS,127

BAGIAN SAHAM: 24883

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118

BAGIAN SAHAM: 117109

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
PMZ270XN,315

PMZ270XN,315

BAGIAN SAHAM: 1122

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.
PSMN4R2-60PLQ

PSMN4R2-60PLQ

BAGIAN SAHAM: 30556

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PH1730AL,115

PH1730AL,115

BAGIAN SAHAM: 900

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN017-30EL,127

PSMN017-30EL,127

BAGIAN SAHAM: 69119

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
PH7030AL,115

PH7030AL,115

BAGIAN SAHAM: 6162

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PHK04P02T,518

PHK04P02T,518

BAGIAN SAHAM: 144307

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.66A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
PH2530AL,115

PH2530AL,115

BAGIAN SAHAM: 914

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PH1930AL,115

PH1930AL,115

BAGIAN SAHAM: 921

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN1R8-30PL,127

PSMN1R8-30PL,127

BAGIAN SAHAM: 28528

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN5R6-100BS,118

PSMN5R6-100BS,118

BAGIAN SAHAM: 46292

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN2R8-80BS,118

PSMN2R8-80BS,118

BAGIAN SAHAM: 41139

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PH1330AL,115

PH1330AL,115

BAGIAN SAHAM: 1014

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PH3030AL,115

PH3030AL,115

BAGIAN SAHAM: 855

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN1R6-30BL,118

PSMN1R6-30BL,118

BAGIAN SAHAM: 63712

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PHB110NQ08T,118

PHB110NQ08T,118

BAGIAN SAHAM: 976

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PMN28UN,135

PMN28UN,135

BAGIAN SAHAM: 1112

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.
PH5030AL,115

PH5030AL,115

BAGIAN SAHAM: 870

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 91A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PH4030AL,115

PH4030AL,115

BAGIAN SAHAM: 5704

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PSMN2R2-40BS,118

PSMN2R2-40BS,118

BAGIAN SAHAM: 47973

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PHP20NQ20T,127

PHP20NQ20T,127

BAGIAN SAHAM: 47022

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
PSMN1R1-40BS,118

PSMN1R1-40BS,118

BAGIAN SAHAM: 42966

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PSMN013-100BS,118

PSMN013-100BS,118

BAGIAN SAHAM: 87130

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PHP191NQ06LT,127

PHP191NQ06LT,127

BAGIAN SAHAM: 33669

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.