Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Nexperia USA Inc.

PMPB11EN,115

BAGIAN SAHAM: 158882

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV20ENR

BAGIAN SAHAM: 101871

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

PSMN4R0-40YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-40YS,115

BAGIAN SAHAM: 189736

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

NX7002AK,215

BAGIAN SAHAM: 157756

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN7R5-30YLDX

BAGIAN SAHAM: 150066

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

PSMN022-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN022-30PL,127

BAGIAN SAHAM: 89373

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV20XNER

BAGIAN SAHAM: 125462

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 5.7A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMN30XPX

BAGIAN SAHAM: 125076

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN7R5-60YLX

BAGIAN SAHAM: 115986

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMZB200UNEYL

BAGIAN SAHAM: 132087

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV37EN2R

BAGIAN SAHAM: 129683

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMN30UNX

BAGIAN SAHAM: 174306

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN011-60MLX

BAGIAN SAHAM: 102869

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMV30UN2R

BAGIAN SAHAM: 149382

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Wishlist.

PSMN7R0-60YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-60YS,115

BAGIAN SAHAM: 153050

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

PSMN4R3-80ES,127

Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-80ES,127

BAGIAN SAHAM: 22139

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN069-100YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN069-100YS,115

BAGIAN SAHAM: 174065

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72.4 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMNR70-30YLHX

BAGIAN SAHAM: 7882

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-60PSRQ

BAGIAN SAHAM: 64148

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN1R5-30BLEJ

BAGIAN SAHAM: 44079

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN0R7-25YLDX

BAGIAN SAHAM: 77746

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.72 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN4R8-100BSEJ

Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100BSEJ

BAGIAN SAHAM: 44113

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN004-60B,118

Nexperia USA Inc.

PSMN004-60B,118

BAGIAN SAHAM: 42979

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN1R8-30BL,118

Nexperia USA Inc.

PSMN1R8-30BL,118

BAGIAN SAHAM: 57853

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN4R4-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN4R4-80BS,118

BAGIAN SAHAM: 46350

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN4R6-60BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60BS,118

BAGIAN SAHAM: 74651

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN2R6-40YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN2R6-40YS,115

BAGIAN SAHAM: 147546

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN8R5-100ESFQ

Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-100ESFQ

BAGIAN SAHAM: 82052

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 97A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN3R5-80ES,127

Nexperia USA Inc.

PSMN3R5-80ES,127

BAGIAN SAHAM: 45689

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-40YLDX

BAGIAN SAHAM: 76378

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

NX3020NAK,215

BAGIAN SAHAM: 113818

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

PSMN2R8-25MLC,115

Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-25MLC,115

BAGIAN SAHAM: 193042

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PSMN2R1-40PLQ

BAGIAN SAHAM: 73170

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN017-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN017-30PL,127

BAGIAN SAHAM: 74775

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

PSMN1R7-60BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN1R7-60BS,118

BAGIAN SAHAM: 44392

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

PSMN009-100P,127

Nexperia USA Inc.

PSMN009-100P,127

BAGIAN SAHAM: 56916

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

1135

«
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
»