Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

BUK9Y25-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-80E,115

BAGIAN SAHAM: 158384

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 5V,

Wishlist.

BUK7Y10-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y10-30B,115

BAGIAN SAHAM: 111872

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7Y13-40B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y13-40B,115

BAGIAN SAHAM: 85175

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7M22-80EX

BAGIAN SAHAM: 115588

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

BUK6213-30A,118

Nexperia USA Inc.

BUK6213-30A,118

BAGIAN SAHAM: 195714

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M6R6-30EX

BAGIAN SAHAM: 111329

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M9R1-40EX

BAGIAN SAHAM: 180232

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M28-80EX

BAGIAN SAHAM: 180909

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M43-100EX

BAGIAN SAHAM: 192680

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M15-60EX

BAGIAN SAHAM: 168419

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

BUK7Y53-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y53-100B,115

BAGIAN SAHAM: 173564

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

BUK7Y18-55B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-55B,115

BAGIAN SAHAM: 185207

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7M8R0-40EX

BAGIAN SAHAM: 133300

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7M12-60EX

BAGIAN SAHAM: 194417

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

BUK9Y53-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y53-100B,115

BAGIAN SAHAM: 117369

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BSP126,135

BAGIAN SAHAM: 181906

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 375mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7M27-80EX

BAGIAN SAHAM: 181775

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M35-80EX

BAGIAN SAHAM: 172353

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M19-60EX

BAGIAN SAHAM: 141900

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

BUK9Y25-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-60E,115

BAGIAN SAHAM: 135009

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

BUK9Y41-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y41-80E,115

BAGIAN SAHAM: 158657

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

BUK9245-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9245-55A,118

BAGIAN SAHAM: 135060

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M10-30EX

BAGIAN SAHAM: 108711

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK9M24-60EX

BAGIAN SAHAM: 184221

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7M10-40EX

BAGIAN SAHAM: 182442

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BSS123,215

BAGIAN SAHAM: 150743

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 120mA, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7M12-40EX

BAGIAN SAHAM: 189511

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

BUK7Y20-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y20-30B,115

BAGIAN SAHAM: 187615

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

BUK9Y22-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y22-30B,115

BAGIAN SAHAM: 143999

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

BUK9Y72-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y72-80E,115

BAGIAN SAHAM: 140495

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

BUK9Y43-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y43-60E,115

BAGIAN SAHAM: 139643

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

BUK9Y21-40E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y21-40E,115

BAGIAN SAHAM: 168547

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

BUK9237-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9237-55A,118

BAGIAN SAHAM: 193857

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y43-60EX

BAGIAN SAHAM: 106628

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y72-80EX

BAGIAN SAHAM: 172331

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y21-40EX

BAGIAN SAHAM: 183768

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

1135

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»