Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Microchip Technology

TN0104N8-G

BAGIAN SAHAM: 87217

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0604N3-G

BAGIAN SAHAM: 71131

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2530N8-G

BAGIAN SAHAM: 138406

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2504N8-G

BAGIAN SAHAM: 89487

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 890mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

LND150N3-G-P003

Microchip Technology

LND150N3-G-P003

BAGIAN SAHAM: 183599

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2540N3-G

BAGIAN SAHAM: 97638

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN5335N8-G

BAGIAN SAHAM: 108979

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2106N3-G

BAGIAN SAHAM: 187819

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN3205N8-G

BAGIAN SAHAM: 68394

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN5325K1-G

BAGIAN SAHAM: 183601

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP5322K1-G

BAGIAN SAHAM: 166067

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 220V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2110K1-G

BAGIAN SAHAM: 193820

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0702N3-G

BAGIAN SAHAM: 65974

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 530mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 5V,

Wishlist.

Microchip Technology

LND01K1-G

BAGIAN SAHAM: 142227

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 9V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2640K4-G

BAGIAN SAHAM: 43675

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP2106N3-G

BAGIAN SAHAM: 146510

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2222LL-G

BAGIAN SAHAM: 174426

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94030BM4 TR

BAGIAN SAHAM: 9877

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94052BC6-TR

BAGIAN SAHAM: 9895

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 6V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94053BC6-TR

BAGIAN SAHAM: 9815

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 6V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94050BM4 TR

BAGIAN SAHAM: 9820

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 6V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94051BM4 TR

BAGIAN SAHAM: 9843

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 6V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP5335K1-G

BAGIAN SAHAM: 109016

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP2110K1-G

BAGIAN SAHAM: 158520

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

LND250K1-G

BAGIAN SAHAM: 182364

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2524N8-G

BAGIAN SAHAM: 81176

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94052YC6-TR

BAGIAN SAHAM: 171800

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 6V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94031BM4 TR

BAGIAN SAHAM: 9583

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2106K1-G

BAGIAN SAHAM: 193802

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94031YM4-TR

BAGIAN SAHAM: 9555

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN3135N8-G

BAGIAN SAHAM: 151019

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 135mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2540N8-G

BAGIAN SAHAM: 115855

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN3545N8-G

BAGIAN SAHAM: 124604

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2625K4-G

BAGIAN SAHAM: 75520

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2450N8-G

BAGIAN SAHAM: 83065

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN3135K1-G

BAGIAN SAHAM: 178009

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist.

185

«
1
2
3
4
5
6
»