Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Microchip Technology

VP0104N3-G

BAGIAN SAHAM: 97651

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2210N2

BAGIAN SAHAM: 5656

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2535N5-G

BAGIAN SAHAM: 55532

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP3203N3-G

BAGIAN SAHAM: 50933

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 650mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2410L-G

BAGIAN SAHAM: 80527

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN1206L-G

BAGIAN SAHAM: 46073

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP0808L-G

BAGIAN SAHAM: 48896

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN10KN3-G

BAGIAN SAHAM: 155843

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2640N3-G

BAGIAN SAHAM: 48844

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP0109N3-G

BAGIAN SAHAM: 85226

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 90V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0620N3-G

BAGIAN SAHAM: 57680

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

LP0701N3-G

BAGIAN SAHAM: 50856

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16.5V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2535N3-G

BAGIAN SAHAM: 55067

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2535N3-G

BAGIAN SAHAM: 103180

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP0106N3-G

BAGIAN SAHAM: 93914

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP0550N3-G

BAGIAN SAHAM: 42651

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2224N3-G

BAGIAN SAHAM: 5195

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2406L-G

BAGIAN SAHAM: 50949

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0110N3-G

BAGIAN SAHAM: 80557

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2540N3-G

BAGIAN SAHAM: 60070

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP0606N3-G

BAGIAN SAHAM: 85187

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2106N3-G

BAGIAN SAHAM: 138203

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0300L-G

BAGIAN SAHAM: 66028

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0106N3-G

BAGIAN SAHAM: 114421

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP2206N3-G

BAGIAN SAHAM: 36646

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0104N3-G

BAGIAN SAHAM: 80546

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0550N3-G

BAGIAN SAHAM: 50942

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2210N3-G

BAGIAN SAHAM: 37833

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2104N3-G

BAGIAN SAHAM: 120130

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2530N3-G

BAGIAN SAHAM: 118177

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0109N3-G

BAGIAN SAHAM: 111017

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 90V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN5325N3-G

BAGIAN SAHAM: 126306

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 215mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

LND150N3-G

BAGIAN SAHAM: 155894

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2450K4-G

BAGIAN SAHAM: 146586

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0104N3-G

BAGIAN SAHAM: 120143

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94031CYW

BAGIAN SAHAM: 2194

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

185

«
1
2
3
4
5
6
»