Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 6

2N6661

BAGIAN SAHAM: 6316

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 90V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

2N7008-G

BAGIAN SAHAM: 138197

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

2N6660

BAGIAN SAHAM: 6315

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

2N7002-G

BAGIAN SAHAM: 134471

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

2N7000-G

BAGIAN SAHAM: 187823

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

BAGIAN SAHAM: 53675

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2540N3-G-P002

BAGIAN SAHAM: 74193

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MCP87030T-U/MF

BAGIAN SAHAM: 103880

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MCP87050T-U/MF

BAGIAN SAHAM: 146526

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0300L-G-P002

BAGIAN SAHAM: 81152

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN1206L-G-P002

BAGIAN SAHAM: 58212

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0620N3-G-P002

BAGIAN SAHAM: 71231

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2130K1-G

BAGIAN SAHAM: 145339

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0104N3-G-P013

BAGIAN SAHAM: 139578

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2640LG-G

BAGIAN SAHAM: 51374

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP2206N3-G-P003

BAGIAN SAHAM: 46577

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2502N8-G

BAGIAN SAHAM: 77492

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2435N8-G

BAGIAN SAHAM: 67130

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 231mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MCP87022T-U/MF

BAGIAN SAHAM: 69227

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0610N3-G-P013

BAGIAN SAHAM: 89494

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

LND150N3-G-P013

BAGIAN SAHAM: 183588

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN1509N8-G

BAGIAN SAHAM: 131170

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 90V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0106N3-G-P003

BAGIAN SAHAM: 112566

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0604N3-G-P013

BAGIAN SAHAM: 87261

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MCP87090T-U/LC

BAGIAN SAHAM: 199305

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2535N3-G-P013

BAGIAN SAHAM: 124551

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

LND150N3-G-P014

BAGIAN SAHAM: 183620

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

BAGIAN SAHAM: 89433

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2424N8-G

BAGIAN SAHAM: 69759

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 316mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

BAGIAN SAHAM: 183616

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0104N3-G-P014

BAGIAN SAHAM: 96882

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2520N8-G

BAGIAN SAHAM: 72715

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

BAGIAN SAHAM: 174398

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

BAGIAN SAHAM: 77538

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2425N8-G

BAGIAN SAHAM: 77566

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 480mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MIC94051YM4-TR

BAGIAN SAHAM: 191644

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 6V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.