Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

BAGIAN SAHAM: 65888

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

BAGIAN SAHAM: 174415

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

BAGIAN SAHAM: 183557

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wishlist.

TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

BAGIAN SAHAM: 87196

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

BAGIAN SAHAM: 166136

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

BAGIAN SAHAM: 71164

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2410L-G-P014

BAGIAN SAHAM: 96918

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN2124K1-G

BAGIAN SAHAM: 145383

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 134mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP2450N8-G

BAGIAN SAHAM: 58167

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2522N8-G

BAGIAN SAHAM: 71202

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 220V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN5335K1-G

BAGIAN SAHAM: 124592

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP5322N8-G

BAGIAN SAHAM: 145311

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 220V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN3535N8-G

BAGIAN SAHAM: 136838

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist.

TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

BAGIAN SAHAM: 102565

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN5325N8-G

BAGIAN SAHAM: 158539

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 316mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

BAGIAN SAHAM: 145391

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 215mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

BAGIAN SAHAM: 102649

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2510N8-G

BAGIAN SAHAM: 81155

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 480mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0106N3-G

BAGIAN SAHAM: 93893

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP0604N3-G

BAGIAN SAHAM: 57712

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 430mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN3205N3-G

BAGIAN SAHAM: 56360

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN4012L-G

BAGIAN SAHAM: 47260

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP2206N2

BAGIAN SAHAM: 5360

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 750mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2540N3-G

BAGIAN SAHAM: 52692

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN3545N3-G

BAGIAN SAHAM: 104685

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 136mA, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2640N3-G

BAGIAN SAHAM: 45489

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0610N3-G

BAGIAN SAHAM: 73267

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP0620N3-G

BAGIAN SAHAM: 52772

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2450N3-G

BAGIAN SAHAM: 64862

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TP2635N3-G

BAGIAN SAHAM: 47311

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0606L-G

BAGIAN SAHAM: 62684

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN2460N3-G

BAGIAN SAHAM: 62683

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VN0808L-G

BAGIAN SAHAM: 62599

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

TN0606N3-G

BAGIAN SAHAM: 93941

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

VP2450N3-G

BAGIAN SAHAM: 46076

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Microchip Technology

DN2540N5-G

BAGIAN SAHAM: 53451

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wishlist.

185

«
1
2
3
4
5
6
»