Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 40

ZVP3306ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9834

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXM41N10FTC

BAGIAN SAHAM: 9828

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXMN2A03E6TC

BAGIAN SAHAM: 9834

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOA

BAGIAN SAHAM: 9787

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN3306ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9816

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTZ

BAGIAN SAHAM: 9848

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

VN10LPSTOB

BAGIAN SAHAM: 9775

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4525E6TC

BAGIAN SAHAM: 9863

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN2106GTC

BAGIAN SAHAM: 9859

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 710mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9855

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP2106GTC

BAGIAN SAHAM: 9854

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9851

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXM64P03XTC

BAGIAN SAHAM: 9830

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4424GTC

BAGIAN SAHAM: 9856

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9877

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9827

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

VN10LPSTOA

BAGIAN SAHAM: 9826

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXM64N02XTC

BAGIAN SAHAM: 9819

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP0120AS

BAGIAN SAHAM: 9888

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVNL120C

BAGIAN SAHAM: 9887

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9835

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 90V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4310ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9846

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP2106AS

BAGIAN SAHAM: 9893

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVNL110ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9845

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN2230U-7

BAGIAN SAHAM: 112687

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN3730UFB-7

BAGIAN SAHAM: 194722

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMT6009LFG-7

BAGIAN SAHAM: 158562

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMP2008UFG-13

BAGIAN SAHAM: 130618

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMT3020LFDF-7

BAGIAN SAHAM: 195496

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4424ZTA

BAGIAN SAHAM: 9538

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMP2130L-7

BAGIAN SAHAM: 189041

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTZ

BAGIAN SAHAM: 190262

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN3026LVT-7

BAGIAN SAHAM: 180476

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN1032UCB4-7

BAGIAN SAHAM: 168709

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN3016LFDF-7

BAGIAN SAHAM: 135440

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN2230UQ-7

BAGIAN SAHAM: 144195

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist.