Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 40

ZVN2120ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9780

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOA

BAGIAN SAHAM: 5991

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP1320A

BAGIAN SAHAM: 9856

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN3306FTC

BAGIAN SAHAM: 9843

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTZ

BAGIAN SAHAM: 9873

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

BAGIAN SAHAM: 9849

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9836

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9826

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOB

BAGIAN SAHAM: 6076

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4525GTC

BAGIAN SAHAM: 9875

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTZ

BAGIAN SAHAM: 9822

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP4424GTC

BAGIAN SAHAM: 9832

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOB

BAGIAN SAHAM: 6070

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP3306ASTZ

BAGIAN SAHAM: 9812

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXMN2A02X8TC

BAGIAN SAHAM: 5985

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

VN10LFTC

BAGIAN SAHAM: 9787

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOA

BAGIAN SAHAM: 5987

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

BAGIAN SAHAM: 9889

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXM64N03XTC

BAGIAN SAHAM: 9824

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOB

BAGIAN SAHAM: 9843

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9836

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN2535ASTZ

BAGIAN SAHAM: 9837

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 350V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOB

BAGIAN SAHAM: 9821

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN3310A

BAGIAN SAHAM: 85236

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9838

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9816

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTZ

BAGIAN SAHAM: 9830

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TC

BAGIAN SAHAM: 6016

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9856

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOB

BAGIAN SAHAM: 6003

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN2110GTC

BAGIAN SAHAM: 9873

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9841

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

BAGIAN SAHAM: 9861

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXMN2A01FTC

BAGIAN SAHAM: 9864

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9833

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTZ

BAGIAN SAHAM: 5997

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Wishlist.