Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
DMP21D6UFD-7
Diodes Incorporated

DMP21D6UFD-7

BAGIAN SAHAM: 9946

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.
DMP1081UCB4-7
Diodes Incorporated

DMP1081UCB4-7

BAGIAN SAHAM: 113038

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0.9V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.
DMP2305UVT-7
Diodes Incorporated

DMP2305UVT-7

BAGIAN SAHAM: 147220

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Wishlist.
DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated

DMG1013UWQ-7

BAGIAN SAHAM: 191428

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 820mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Wishlist.
DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated

DMP3007SCG-13

BAGIAN SAHAM: 123287

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 11.5A, 10V,

Wishlist.
DMN3070SSN-7
Diodes Incorporated

DMN3070SSN-7

BAGIAN SAHAM: 194623

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.
DMP1100UCB4-7
Diodes Incorporated

DMP1100UCB4-7

BAGIAN SAHAM: 125934

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.3V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated

DMN2004WKQ-7

BAGIAN SAHAM: 194997

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V,

Wishlist.
DMT69M8LFV-13
Diodes Incorporated

DMT69M8LFV-13

BAGIAN SAHAM: 178650

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V,

Wishlist.
ZXMN2069FTA
Diodes Incorporated

ZXMN2069FTA

BAGIAN SAHAM: 172668

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

Wishlist.
DMN65D8LFB-7
Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7

BAGIAN SAHAM: 150120

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

Wishlist.
DMN3021LFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3021LFDF-7

BAGIAN SAHAM: 106674

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
DMN3009LFV-13
Diodes Incorporated

DMN3009LFV-13

BAGIAN SAHAM: 9944

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
DMN2400UFB-7
Diodes Incorporated

DMN2400UFB-7

BAGIAN SAHAM: 194942

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN60H080DS-7
Diodes Incorporated

DMN60H080DS-7

BAGIAN SAHAM: 9918

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 Ohm @ 60mA, 10V,

Wishlist.
DMN3025LFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3025LFDF-7

BAGIAN SAHAM: 141203

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
DMN3033LDM-7
Diodes Incorporated

DMN3033LDM-7

BAGIAN SAHAM: 130559

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.9A, 10V,

Wishlist.
DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated

DMP1011UCB9-7

BAGIAN SAHAM: 157120

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.
DMN62D0LFB-7
Diodes Incorporated

DMN62D0LFB-7

BAGIAN SAHAM: 154528

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

Wishlist.
DMP2004WK-7
Diodes Incorporated

DMP2004WK-7

BAGIAN SAHAM: 112795

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated

DMN5L06WKQ-7

BAGIAN SAHAM: 105651

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
DMN100-7-F
Diodes Incorporated

DMN100-7-F

BAGIAN SAHAM: 179333

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.
DMG3404L-7
Diodes Incorporated

DMG3404L-7

BAGIAN SAHAM: 180033

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.8A, 10V,

Wishlist.
DMG2302UQ-7
Diodes Incorporated

DMG2302UQ-7

BAGIAN SAHAM: 112250

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.
DMN3020UFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3020UFDF-7

BAGIAN SAHAM: 196253

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMP2066LVT-7
Diodes Incorporated

DMP2066LVT-7

BAGIAN SAHAM: 1031

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMN3052LSS-13
Diodes Incorporated

DMN3052LSS-13

BAGIAN SAHAM: 1007

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 10V,

Wishlist.
DMN4027SSS-13
Diodes Incorporated

DMN4027SSS-13

BAGIAN SAHAM: 937

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
DMN3005LK3-13
Diodes Incorporated

DMN3005LK3-13

BAGIAN SAHAM: 1018

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
DMG8880LSS-13
Diodes Incorporated

DMG8880LSS-13

BAGIAN SAHAM: 949

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.6A, 10V,

Wishlist.
ZVN3320ASTOA
Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOA

BAGIAN SAHAM: 912

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.
DMS2220LFDB-7
Diodes Incorporated

DMS2220LFDB-7

BAGIAN SAHAM: 188581

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Wishlist.
DMP1555UFA-7B
Diodes Incorporated

DMP1555UFA-7B

BAGIAN SAHAM: 104122

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.
ZXMN10A25K
Diodes Incorporated

ZXMN10A25K

BAGIAN SAHAM: 998

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.9A, 10V,

Wishlist.
DMG3415UFY4-7
Diodes Incorporated

DMG3415UFY4-7

BAGIAN SAHAM: 120604

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
DMN3112SSS-13
Diodes Incorporated

DMN3112SSS-13

BAGIAN SAHAM: 643

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 5.8A, 10V,

Wishlist.