Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

DMP1022UFDF-7

BAGIAN SAHAM: 159919

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

ZVN3306FTA

BAGIAN SAHAM: 179513

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

DMG6402LDM-7

BAGIAN SAHAM: 188491

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

DMN2041L-7

BAGIAN SAHAM: 183630

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V,

DMN2020UFCL-7

BAGIAN SAHAM: 143834

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

DMP3105LVT-7

BAGIAN SAHAM: 134962

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.2A, 10V,

DMTH4004SPSQ-13

BAGIAN SAHAM: 132167

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 90A, 10V,

DMG3415UFY4Q-7

BAGIAN SAHAM: 130289

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

ZXMN10A07ZTA

BAGIAN SAHAM: 145903

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

DMN3053L-7

BAGIAN SAHAM: 159874

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 10V,

DMT6012LPS-13

BAGIAN SAHAM: 9615

DMN30H4D0L-13

BAGIAN SAHAM: 129656

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

ZVN2106A

BAGIAN SAHAM: 92744

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

ZXM41N10FTA

BAGIAN SAHAM: 9338

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

ZVN4424ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9169

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

ZXMN6A11GTC

BAGIAN SAHAM: 9235

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

ZVP3306FTC

BAGIAN SAHAM: 9172

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVN2110ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9265

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

DMG4406LSS-13

BAGIAN SAHAM: 9411

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

ZXM64P035GTA

BAGIAN SAHAM: 9288

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

ZVN4306ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9223

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

DMN3052L-7

BAGIAN SAHAM: 9376

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.8A, 10V,

ZVP2110GTC

BAGIAN SAHAM: 5995

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

ZVN4210ASTOA

BAGIAN SAHAM: 5985

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

ZVP3310FTC

BAGIAN SAHAM: 9238

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

ZXM64P035L3

BAGIAN SAHAM: 9340

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

ZVP2110A

BAGIAN SAHAM: 76343

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

ZVN2110ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9250

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

ZVNL110ASTOB

BAGIAN SAHAM: 9241

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

ZVP4525E6TC

BAGIAN SAHAM: 9196

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 197mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVP4525GTC

BAGIAN SAHAM: 9249

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 265mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVN4306GVTC

BAGIAN SAHAM: 9190

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

DMN5L06-7

BAGIAN SAHAM: 9282

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 2.7V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V,

ZXMP10A18K

BAGIAN SAHAM: 9297

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,

ZXM64N035GTA

BAGIAN SAHAM: 9290

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 6.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.7A, 10V,

ZVN4306ASTOA

BAGIAN SAHAM: 9229

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,