Dioda - Penyearah - Tunggal

C3D04060F

BAGIAN SAHAM: 37807

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 6A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C4D05120E-TR

BAGIAN SAHAM: 20880

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 19A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C4D10120E-TR

BAGIAN SAHAM: 10448

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 33A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D06060G-TR

BAGIAN SAHAM: 40422

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 19A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),

C3D02065E-TR

BAGIAN SAHAM: 114886

Tipe Dioda: Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D08060G-TR

BAGIAN SAHAM: 30363

Tipe Dioda: Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 24A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 6A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D03065E-TR

BAGIAN SAHAM: 76100

Tipe Dioda: Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 11A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 3A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D02060E-TR

BAGIAN SAHAM: 122143

Tipe Dioda: Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D10060G-TR

BAGIAN SAHAM: 24327

Tipe Dioda: Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 29A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D04065E-TR

BAGIAN SAHAM: 57453

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 13.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D03060E-TR

BAGIAN SAHAM: 80343

Tipe Dioda: Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 11A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C4D08120E-TR

BAGIAN SAHAM: 13953

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 24.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D04060E-TR

BAGIAN SAHAM: 60464

Tipe Dioda: Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 13.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 4A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

E4D20120A

BAGIAN SAHAM: 634

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 54.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 20A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

CPW3-1700-S025B-WP

BAGIAN SAHAM: 1137

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1700V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 25A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 25A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C2D05120A

BAGIAN SAHAM: 9158

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 17.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C4D15120H

BAGIAN SAHAM: 501

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 39A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 15A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

CPW3-1700-S010B-WP

BAGIAN SAHAM: 3535

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1700V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C4D08120A

BAGIAN SAHAM: 8738

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 24.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 7.5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C4D20120H

BAGIAN SAHAM: 3141

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 54A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 20A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C4D10120H

BAGIAN SAHAM: 3213

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 31.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D25170H

BAGIAN SAHAM: 1223

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1700V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 26.3A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 25A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

CVFD20065A

BAGIAN SAHAM: 7144

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 57A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.45V @ 20A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C4D15120A

BAGIAN SAHAM: 4355

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 43.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 15A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D03060A

BAGIAN SAHAM: 50190

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 11A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D16065A

BAGIAN SAHAM: 9050

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 39A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 16A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C2D05120E-TR

BAGIAN SAHAM: 14702

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 17.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D04065A

BAGIAN SAHAM: 35635

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 13.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D12065A

BAGIAN SAHAM: 11857

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 35A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 12A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D06065A

BAGIAN SAHAM: 23636

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 19A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 6A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D08065I

BAGIAN SAHAM: 17098

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 16.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D08065A

BAGIAN SAHAM: 17783

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 24A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C2D05120E

BAGIAN SAHAM: 9200

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 17.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D10170H

BAGIAN SAHAM: 3661

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1700V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 14.4A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

C3D10065A

BAGIAN SAHAM: 14272

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 30A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

CPW2-1200-S010B-SK

BAGIAN SAHAM: 1446