Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

SI4126DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4126DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 61700

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.75 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SIR870DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR870DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 60973

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SIR826DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR826DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 7967

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SUD19N20-90-T4-E3

Vishay Siliconix

SUD19N20-90-T4-E3

BAGIAN SAHAM: 49898

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHD7N60E-E3

BAGIAN SAHAM: 76161

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1032R-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 195024

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 61538

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUD40N10-25-E3

BAGIAN SAHAM: 44764

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ457EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 184399

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2312CDS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 162492

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 57412

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQM90142E_GE3

BAGIAN SAHAM: 44244

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHF12N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 50457

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

SIHJ8N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHJ8N60E-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 69561

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUD40151EL-GE3

BAGIAN SAHAM: 7913

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist.

SI2333CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2333CDS-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 105597

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Wishlist.

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2308BDS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 119268

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.9A, 10V,

Wishlist.

SQ4401EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4401EY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 57436

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Wishlist.

SIR846ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR846ADP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 67682

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHU7N60E-E3

BAGIAN SAHAM: 74123

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4456DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 68718

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SQD90P04-9M4L_GE3

Vishay Siliconix

SQD90P04-9M4L_GE3

BAGIAN SAHAM: 60943

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

TP0610K-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 190872

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 185mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

SIR826DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR826DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 51964

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4190ADY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 82342

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS413DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 136739

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SI2372DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2372DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 142591

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7898DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 37995

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA400EDJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 108266

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 11A, 4.5V,

Wishlist.

SQM40P10-40L_GE3

Vishay Siliconix

SQM40P10-40L_GE3

BAGIAN SAHAM: 8011

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.

SI7636DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7636DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 58750

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

SIDR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIDR402DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 5860

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.88 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SIR882DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR882DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 60907

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SQJ461EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ461EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 52002

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 14.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUM70060E-GE3

BAGIAN SAHAM: 62874

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 131A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

SQJQ404E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ404E-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 8038

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.72 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

3600

«
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
»