Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
SQ3461EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3461EV-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 16248

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

Wishlist.
IRFBA22N50APBF
Vishay Siliconix

IRFBA22N50APBF

BAGIAN SAHAM: 9656

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13.8A, 10V,

Wishlist.
SI7615CDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7615CDN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 117745

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 4.5V,

Wishlist.
SI7613DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7613DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 153465

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.
SIRC06DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRC06DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 16278

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
IRFL9110PBF
Vishay Siliconix

IRFL9110PBF

BAGIAN SAHAM: 9789

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 660mA, 10V,

Wishlist.
SIR668ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668ADP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 16215

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 93.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SIRA64DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA64DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 16262

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
IRC630PBF
Vishay Siliconix

IRC630PBF

BAGIAN SAHAM: 9703

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Wishlist.
IRC640PBF
Vishay Siliconix

IRC640PBF

BAGIAN SAHAM: 9672

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
SIR158DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 80850

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
IRC730PBF
Vishay Siliconix

IRC730PBF

BAGIAN SAHAM: 9620

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
SI5476DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5476DU-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 125161

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wishlist.
IRC840PBF
Vishay Siliconix

IRC840PBF

BAGIAN SAHAM: 9647

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Wishlist.
SIRA22DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA22DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 16213

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.76 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
IRFB16N60LPBF
Vishay Siliconix

IRFB16N60LPBF

BAGIAN SAHAM: 9618

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
SIRA96DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA96DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 109322

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
IRFL9014PBF
Vishay Siliconix

IRFL9014PBF

BAGIAN SAHAM: 5643

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1.1A, 10V,

Wishlist.
SIHW47N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHW47N65E-GE3

BAGIAN SAHAM: 9529

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 24A, 10V,

Wishlist.
IRFR310TRRPBF
Vishay Siliconix

IRFR310TRRPBF

BAGIAN SAHAM: 9801

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
SI2333DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2333DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 190207

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V,

Wishlist.
IRFU4105ZTRL
Vishay Siliconix

IRFU4105ZTRL

BAGIAN SAHAM: 9349

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
IRLL1503TR
Vishay Siliconix

IRLL1503TR

BAGIAN SAHAM: 9260

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V,

Wishlist.
SQM110P04-04L-GE3
Vishay Siliconix

SQM110P04-04L-GE3

BAGIAN SAHAM: 9420

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
SI1058X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1058X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9419

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

Wishlist.
SI1303DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 9355

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 670mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
IRFB17N60K
Vishay Siliconix

IRFB17N60K

BAGIAN SAHAM: 9329

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SI4493DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4493DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 9378

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.75 mOhm @ 14A, 4.5V,

Wishlist.
SUD50N02-06P-E3
Vishay Siliconix

SUD50N02-06P-E3

BAGIAN SAHAM: 64931

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SIHP050N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP050N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 9320

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.
IRFU4105ZTRR
Vishay Siliconix

IRFU4105ZTRR

BAGIAN SAHAM: 9357

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
IRFIZ46G
Vishay Siliconix

IRFIZ46G

BAGIAN SAHAM: 9274

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V,

Wishlist.
IRF9530SPBF
Vishay Siliconix

IRF9530SPBF

BAGIAN SAHAM: 36695

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Wishlist.
SI7407DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7407DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 9422

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15.6A, 4.5V,

Wishlist.
SI4004DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4004DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9459

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
SI7380ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7380ADP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 5947

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.