Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Vishay Siliconix

SI5857DU-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 494

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI5858DU-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 405

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1022R-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 6114

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7459DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 6127

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1056X-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 463

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7138DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 406

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIE822DF-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 51934

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4480DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 464

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3499DV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 449

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4620DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 190266

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 7.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4840DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 448

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI8415DB-T1-E1

BAGIAN SAHAM: 6053

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI8402DB-T1-E1

BAGIAN SAHAM: 492

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7136DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 460

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SI3457BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3457BDV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 467

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIA810DJ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 499

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 43984

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

IRFS9N60ATRRPBF

Vishay Siliconix

IRFS9N60ATRRPBF

BAGIAN SAHAM: 34226

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.

SI1304BDL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1304BDL-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 433

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 900mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 900mA, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4336DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 464

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

SI7403BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7403BDN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 6130

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

TP0101K-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 454

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 580mA, 4.5V,

Wishlist.

SUM36N20-54P-E3

Vishay Siliconix

SUM36N20-54P-E3

BAGIAN SAHAM: 482

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

SI3446ADV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3446ADV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 467

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI5406DC-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 420

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Wishlist.

SI6435ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6435ADQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 466

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3434DV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 418

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

TP0202K-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 486

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 385mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1472DH-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 475

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4642DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 407

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.75 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI5486DU-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 477

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V,

Wishlist.

SI6463BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 416

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

Wishlist.

SUM18N25-165-E3

Vishay Siliconix

SUM18N25-165-E3

BAGIAN SAHAM: 6102

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

SI3456BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3456BDV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 393

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1305DL-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 408

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 860mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUM40N15-38-E3

BAGIAN SAHAM: 51855

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

3600

«
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
»