Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 70460

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

Wishlist.
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 43176

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 248

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 171482

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Wishlist.
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 33676

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 245

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 244

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 113255

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 187703

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 193041

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 110153

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 130549

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 258

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 113283

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

BAGIAN SAHAM: 37055

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Wishlist.
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 35066

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 265

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 57373

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 52849

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wishlist.
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 30546

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Wishlist.
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 237

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 249

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 199708

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

BAGIAN SAHAM: 13653

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist.
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

BAGIAN SAHAM: 30993

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 255

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 261

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 122281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 66462

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 44771

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wishlist.
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 219

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 232

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 111133

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 251

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 296

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 64154

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.