Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

TPH3202PD

BAGIAN SAHAM: 7016

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Wishlist.

TPH3205WSB

BAGIAN SAHAM: 3254

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

Wishlist.

TPH3208PD

BAGIAN SAHAM: 986

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Wishlist.

TPH3207WS

BAGIAN SAHAM: 2351

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

Wishlist.

TPH3206LS

BAGIAN SAHAM: 6040

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Wishlist.

TPH3208LS

BAGIAN SAHAM: 5664

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Wishlist.

TPH3208PS

BAGIAN SAHAM: 6263

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Wishlist.

TPH3206PD

BAGIAN SAHAM: 5709

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Wishlist.

TPH3206PS

BAGIAN SAHAM: 6777

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Wishlist.

TP65H035WS

BAGIAN SAHAM: 2828

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 12V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

TPH3208LDG

BAGIAN SAHAM: 5597

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Wishlist.

TPH3206LDGB

BAGIAN SAHAM: 6072

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Wishlist.

TP65H050WS

BAGIAN SAHAM: 1890

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 12V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.

TPH3206LD

BAGIAN SAHAM: 6066

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Wishlist.

TPH3208LSG

BAGIAN SAHAM: 1701

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

Wishlist.

TPH3205WSBQA

BAGIAN SAHAM: 2970

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

Wishlist.

TPH3206PSB

BAGIAN SAHAM: 6741

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

Wishlist.

TP90H180PS

BAGIAN SAHAM: 2997

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

TPH3206LSB

BAGIAN SAHAM: 6120

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

Wishlist.

TPH3212PS

BAGIAN SAHAM: 4430

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

Wishlist.

TPH3202LD

BAGIAN SAHAM: 6662

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Wishlist.

TPH3202LS

BAGIAN SAHAM: 6623

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Wishlist.

TPH3208LD

BAGIAN SAHAM: 5648

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Wishlist.

TPH3202PS

BAGIAN SAHAM: 7016

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Wishlist.

TPH3206LDB

BAGIAN SAHAM: 6074

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

Wishlist.

25