Tipe | Deskripsi |
Status Bagian | Obsolete |
---|---|
Tipe FET | N-Channel |
Teknologi | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 600V |
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Vgs (Maks) | ±18V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 760pF @ 480V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 65W (Tc) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Jenis pemasangan: | Through Hole |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kasus | TO-220-3 |
ROHS Status | Compliant RoHS. |
---|---|
Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
Stok kategori. | Stok tersedia |