Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
