Transistor - FET, MOSFET - Array

FW274-TL-E

BAGIAN SAHAM: 3030

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDC6321C

BAGIAN SAHAM: 160222

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6321C-F169

BAGIAN SAHAM: 2959

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 410mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTTFS5C471NLTAG

BAGIAN SAHAM: 297

EFC6602R-TR

BAGIAN SAHAM: 159385

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDPC1002S

BAGIAN SAHAM: 2951

FDMS7606

BAGIAN SAHAM: 2977

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.5A, 12A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C446NLT1G

BAGIAN SAHAM: 6539

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 90µA,

FDC6306P

BAGIAN SAHAM: 165018

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6301N-F085P

BAGIAN SAHAM: 2942

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6332C-F085

BAGIAN SAHAM: 342

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8984

BAGIAN SAHAM: 198032

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMC9430L-F085

BAGIAN SAHAM: 211

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLT1G

BAGIAN SAHAM: 9983

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDS8958A

BAGIAN SAHAM: 10836

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDD8424H

BAGIAN SAHAM: 181368

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4630R-TR

BAGIAN SAHAM: 3001

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDMS3606AS

BAGIAN SAHAM: 63299

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A, 27A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDS6982AS_G

BAGIAN SAHAM: 2936

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

ECH8651R-R-TL-HX

BAGIAN SAHAM: 2970

FDZ1416NZ

BAGIAN SAHAM: 131465

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 147994

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVLJD4007NZTBG

BAGIAN SAHAM: 108671

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 245mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

FDG6304P-F169

BAGIAN SAHAM: 2990

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8661-TL-H

BAGIAN SAHAM: 105690

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTZD3155CT2G

BAGIAN SAHAM: 199865

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1025P

BAGIAN SAHAM: 151612

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMD85100

BAGIAN SAHAM: 46969

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

FDMD8530

BAGIAN SAHAM: 84078

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTD5C688NLT4G

BAGIAN SAHAM: 10808

Tipe FET: N-Channel, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 17A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 250µA,

NTMD4840NR2G

BAGIAN SAHAM: 184655

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG8842CZ

BAGIAN SAHAM: 124470

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 750mA, 410mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG8850NZ

BAGIAN SAHAM: 105054

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 750mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5877NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 160834

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1027PT

BAGIAN SAHAM: 2928

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

ECH8663R-TL-H

BAGIAN SAHAM: 143975

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 4A, 4.5V,