Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

BUK7540-100A,127

BUK7540-100A,127

BAGIAN SAHAM: 2493

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.

BUK7528-55,127

BAGIAN SAHAM: 2449

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

BUK7514-55A,127

BUK7514-55A,127

BAGIAN SAHAM: 2519

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7511-55A,127

BUK7511-55A,127

BAGIAN SAHAM: 2514

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7505-30A,127

BUK7505-30A,127

BAGIAN SAHAM: 2450

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BSP304A,126

BAGIAN SAHAM: 2480

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.

BST72A,112

BAGIAN SAHAM: 2477

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

Wishlist.

BSN304,126

BAGIAN SAHAM: 2446

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

BSP254A,126

BAGIAN SAHAM: 2510

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

BSN254,126

BAGIAN SAHAM: 2444

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist.

BSN254A,126

BAGIAN SAHAM: 6317

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist.

BS108,126

BAGIAN SAHAM: 2512

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Wishlist.

BS108/01,126

BAGIAN SAHAM: 2506

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Wishlist.

BUK98150-55,135

BUK98150-55,135

BAGIAN SAHAM: 1923

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 5V,

Wishlist.

BSS84AKT,115

BAGIAN SAHAM: 1762

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

BUK7575-55,127

BAGIAN SAHAM: 6209

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

BUK962R1-40E,118

BUK962R1-40E,118

BAGIAN SAHAM: 1534

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK961R7-40E,118

BUK961R7-40E,118

BAGIAN SAHAM: 1549

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

BAGIAN SAHAM: 1502

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK961R5-30E,118

BUK961R5-30E,118

BAGIAN SAHAM: 1498

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9609-55A,118

BUK9609-55A,118

BAGIAN SAHAM: 1451

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK78150-55A,115

BUK78150-55A,115

BAGIAN SAHAM: 1504

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

BUK7609-55A,118

BUK7609-55A,118

BAGIAN SAHAM: 1521

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK961R4-30E,118

BUK961R4-30E,118

BAGIAN SAHAM: 1432

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 5V,

Wishlist.

BUK761R3-30E,118

BUK761R3-30E,118

BAGIAN SAHAM: 1413

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9875-100A,115

BUK9875-100A,115

BAGIAN SAHAM: 1199

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.

BUK761R8-30C,118

BUK761R8-30C,118

BAGIAN SAHAM: 978

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7619-100B,118

BUK7619-100B,118

BAGIAN SAHAM: 6106

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7C2R2-60EJ

BAGIAN SAHAM: 9577

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V,

Wishlist.

BUK752R7-60E,127

BUK752R7-60E,127

BAGIAN SAHAM: 9577

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK754R7-60E,127

BUK754R7-60E,127

BAGIAN SAHAM: 9617

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK953R2-40E,127

BUK953R2-40E,127

BAGIAN SAHAM: 9614

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7514-60E,127

BUK7514-60E,127

BAGIAN SAHAM: 9650

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

BUK76150-55A,118

BUK76150-55A,118

BAGIAN SAHAM: 9592

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

BUK7615-100A,118

BUK7615-100A,118

BAGIAN SAHAM: 9575

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7608-55,118

BAGIAN SAHAM: 9575

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

468

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»