Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

BUK9E1R6-30E,127

BUK9E1R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 2576

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9E15-60E,127

BUK9E15-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2588

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

BUK956R1-100E,127

BUK956R1-100E,127

BAGIAN SAHAM: 6333

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK958R5-40E,127

BUK958R5-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2510

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

BUK954R4-80E,127

BUK954R4-80E,127

BAGIAN SAHAM: 2512

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK952R8-60E,127

BUK952R8-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2572

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK952R3-40E,127

BUK952R3-40E,127

BAGIAN SAHAM: 6262

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK951R9-40E,127

BUK951R9-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2587

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK951R6-30E,127

BUK951R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 6281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7E4R0-80E,127

BUK7E4R0-80E,127

BAGIAN SAHAM: 2546

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9515-60E,127

BUK9515-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2529

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

BUK7E1R6-30E,127

BUK7E1R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 6300

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK753R5-60E,127

BUK753R5-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2561

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK751R6-30E,127

BUK751R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 6316

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7Y08-40B/C,115

BUK7Y08-40B/C,115

BAGIAN SAHAM: 2544

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7Y25-40B/C,115

BUK7Y25-40B/C,115

BAGIAN SAHAM: 2544

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

BUK655R0-75C,127

BUK655R0-75C,127

BAGIAN SAHAM: 2509

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

BAGIAN SAHAM: 2550

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK653R7-30C,127

BUK653R7-30C,127

BAGIAN SAHAM: 2483

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK654R0-75C,127

BUK654R0-75C,127

BAGIAN SAHAM: 2520

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK653R5-55C,127

BUK653R5-55C,127

BAGIAN SAHAM: 6308

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

BAGIAN SAHAM: 2570

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

BAGIAN SAHAM: 2554

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK6510-75C,127

BUK6510-75C,127

BAGIAN SAHAM: 2551

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK6507-55C,127

BUK6507-55C,127

BAGIAN SAHAM: 2513

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9222-55A/C1,118

BUK9222-55A/C1,118

BAGIAN SAHAM: 2554

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7210-55B/C1,118

BUK7210-55B/C1,118

BAGIAN SAHAM: 2539

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9237-55A/C1,118

BUK9237-55A/C1,118

BAGIAN SAHAM: 2513

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

BUK9240-100A/C1,11

BUK9240-100A/C1,11

BAGIAN SAHAM: 2553

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7628-100A/C,118

BUK7628-100A/C,118

BAGIAN SAHAM: 2564

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9535-55,127

BAGIAN SAHAM: 2489

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

Wishlist.

BUK7524-55,127

BAGIAN SAHAM: 2502

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7213-40A,118

BUK7213-40A,118

BAGIAN SAHAM: 2477

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK9213-30A,118

BUK9213-30A,118

BAGIAN SAHAM: 2509

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK7E4R3-75C,127

BUK7E4R3-75C,127

BAGIAN SAHAM: 2562

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

BUK753R4-30B,127

BUK753R4-30B,127

BAGIAN SAHAM: 2515

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

468

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»