Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (4), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: Logic, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 120 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (4), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: Logic, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 120 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: Logic, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 120 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: SPI, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: SPI, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: Logic, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 120 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: SPI, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (4), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: Logic, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 120 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Aplikasi: DC Motors, General Purpose, Antarmuka: SPI, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),