Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
PMXB75UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB75UPEZ

BAGIAN SAHAM: 146149

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

Wishlist.
PSMN2R9-30MLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN2R9-30MLC,115

BAGIAN SAHAM: 187425

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
PMZ290UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNEYL

BAGIAN SAHAM: 176774

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.
PMPB29XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB29XPE,115

BAGIAN SAHAM: 161790

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.
PMPB43XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB43XPE,115

BAGIAN SAHAM: 150444

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.
PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN6R0-30YL,115

BAGIAN SAHAM: 110102

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 79A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PMPB20ENZ
Nexperia USA Inc.

PMPB20ENZ

BAGIAN SAHAM: 151810

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN038-100YLX

BAGIAN SAHAM: 176205

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37.5 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
NX7002BKMYL
Nexperia USA Inc.

NX7002BKMYL

BAGIAN SAHAM: 169872

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
NX138BKWF
Nexperia USA Inc.

NX138BKWF

BAGIAN SAHAM: 157911

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.

PMV65ENEAR

BAGIAN SAHAM: 178628

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.

PMV45EN2VL

BAGIAN SAHAM: 177740

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.1A, 10V,

Wishlist.
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN015-100YLX

BAGIAN SAHAM: 176542

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.

PMV65XPVL

BAGIAN SAHAM: 186436

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Wishlist.
PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN6R1-25MLDX

BAGIAN SAHAM: 173485

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.24 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
PMV250EPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV250EPEAR

BAGIAN SAHAM: 196012

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.3A, 10V,

Wishlist.
PMPB13XNE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB13XNE,115

BAGIAN SAHAM: 151250

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 4.5V,

Wishlist.
PMXB56ENZ
Nexperia USA Inc.

PMXB56ENZ

BAGIAN SAHAM: 169018

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 10V,

Wishlist.
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.

PMT280ENEAX

BAGIAN SAHAM: 142017

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.