Dioda - Penyearah - Tunggal

IDC05S60CEX1SA1

BAGIAN SAHAM: 2377

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 5266

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2371

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 9A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 9A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

BAGIAN SAHAM: 2399

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

BAGIAN SAHAM: 2331

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

BAGIAN SAHAM: 34878

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 50A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.15V @ 30A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

BAGIAN SAHAM: 2626

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 6A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

BAGIAN SAHAM: 2341

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 200A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 200A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

BAGIAN SAHAM: 2382

IDK12G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2311

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 12A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 12A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

BAGIAN SAHAM: 2434

IDL04G65C5XUMA1

BAGIAN SAHAM: 2353

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 4A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

BAGIAN SAHAM: 1516

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 120A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 75A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2335

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 6A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 6A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

BAGIAN SAHAM: 2342

IDW40G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 4319

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 40A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 40A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

BAGIAN SAHAM: 2440

IDW15S120FKSA1

BAGIAN SAHAM: 2436

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 15A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 15A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 2289

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 12A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

BAGIAN SAHAM: 2299

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1050A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1000A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 12700

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 27A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 12A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

BAGIAN SAHAM: 5258

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 150A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 150A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

BAGIAN SAHAM: 2367

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

BAGIAN SAHAM: 5312

IDW15E65D2FKSA1

BAGIAN SAHAM: 41876

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 30A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 15A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

BAGIAN SAHAM: 2322

D1050N16TXPSA1

BAGIAN SAHAM: 2266

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1050A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1000A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 8465

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 41A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 20A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

BAGIAN SAHAM: 5317

IRD3CH16DF6

BAGIAN SAHAM: 2362

IDW10G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 12731

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

BAGIAN SAHAM: 2365

IDK10G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2337

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 6043

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 16A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.95V @ 16A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

BAGIAN SAHAM: 2321

IRD3CH42DF6

BAGIAN SAHAM: 2347