Dioda - Penyearah - Tunggal

D2700U45X122XOSA1

BAGIAN SAHAM: 287

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 4500V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2900A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

BAGIAN SAHAM: 324

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 9000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1790A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 5.5V @ 4000A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

BAGIAN SAHAM: 307

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 4500V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2380A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 2500A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

BAGIAN SAHAM: 304

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 8500V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 3040A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

BAGIAN SAHAM: 5330

IDP45E60XKSA1

BAGIAN SAHAM: 38822

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 71A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 45A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

BAGIAN SAHAM: 34916

IDK04G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2364

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 4A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

BAGIAN SAHAM: 2397

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 100A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 100A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 9090

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 16A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 16A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

BAGIAN SAHAM: 2378

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 10A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

BAGIAN SAHAM: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

BAGIAN SAHAM: 1902

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 42A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.1V @ 40A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

BAGIAN SAHAM: 2407

IRD3CH101DD6

BAGIAN SAHAM: 2319

IDW40E65D2FKSA1

BAGIAN SAHAM: 30469

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 80A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 40A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

BAGIAN SAHAM: 2356

IRD3CH16DB6

BAGIAN SAHAM: 2357

IRD3CH5BD6

BAGIAN SAHAM: 5238

IDC08S60CEX1SA3

BAGIAN SAHAM: 2424

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 10387

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.95V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2297

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 2A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

BAGIAN SAHAM: 7574

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 20A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

BAGIAN SAHAM: 2364

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 12A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

BAGIAN SAHAM: 2327

IDB10S60CATMA2

BAGIAN SAHAM: 5332

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

BAGIAN SAHAM: 2339

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 75A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 75A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

BAGIAN SAHAM: 2324

IRD3CH11DB6

BAGIAN SAHAM: 2369

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 25A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 25A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2324

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

BAGIAN SAHAM: 5234

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

BAGIAN SAHAM: 68501

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 3A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

BAGIAN SAHAM: 2296

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

BAGIAN SAHAM: 2355

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 4A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2298

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 3A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 3A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 2285

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,