Dioda - Penyearah - Tunggal

IDH04G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1650

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 4A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1661

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDW40G65C5FKSA1

BAGIAN SAHAM: 3993

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 40A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 40A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDB09E60ATMA1

BAGIAN SAHAM: 1517

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 19.3A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 9A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

IDV04S60CXKSA1

BAGIAN SAHAM: 1551

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 4A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDY15S120XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1556

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 7.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDP04E120

BAGIAN SAHAM: 1480

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 11.2A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.15V @ 4A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 115ns,

IDP23E60

BAGIAN SAHAM: 1484

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 41A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 23A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 120ns,

IDD03E60BUMA1

BAGIAN SAHAM: 1500

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 7.3A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 3A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 62ns,

IDW20G65C5FKSA1

BAGIAN SAHAM: 1234

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 20A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

HFA15TB60PBF

BAGIAN SAHAM: 44119

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 15A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 15A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 60ns,

IDL06G65C5XUMA1

BAGIAN SAHAM: 1396

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 6A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDB18E120ATMA1

BAGIAN SAHAM: 1262

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 31A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.15V @ 18A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 195ns,

IDH16G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1262

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 16A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 16A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDT05S60CHKSA1

BAGIAN SAHAM: 1377

IRD3CH9DF6

BAGIAN SAHAM: 1391

IDH05G65C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1235

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 650V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH53DD6

BAGIAN SAHAM: 1378

IDY10S120XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1261

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDD04S60CBUMA1

BAGIAN SAHAM: 1318

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5.6A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDT04S60CHKSA1

BAGIAN SAHAM: 1373

IDW10S120FKSA1

BAGIAN SAHAM: 1361

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IRD3CH11DD6

BAGIAN SAHAM: 1353

SDP06S60

BAGIAN SAHAM: 1035

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 6A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDH02G120C5XKSA1

BAGIAN SAHAM: 23390

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.65V @ 2A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDM02G120C5XTMA1

BAGIAN SAHAM: 49472

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.65V @ 2A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

SIDC26D60C6

BAGIAN SAHAM: 5159

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 100A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 100A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC06D60AC6X1SA1

BAGIAN SAHAM: 1106

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 20A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.95V @ 20A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC24D30SIC3

BAGIAN SAHAM: 1116

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 300V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

SDP10S30

BAGIAN SAHAM: 5134

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 300V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

SIDC06D120H6X1SA4

BAGIAN SAHAM: 1137

Tipe Dioda: Standard, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 7.5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 7.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH08SG60CXKSA1

BAGIAN SAHAM: 868

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 8A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.1V @ 8A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA1

BAGIAN SAHAM: 873

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 5A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDD10SG60CXTMA1

BAGIAN SAHAM: 815

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 10A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.1V @ 10A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDD09SG60CXTMA1

BAGIAN SAHAM: 852

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 9A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 2.1V @ 9A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,

IDV03S60CXKSA1

BAGIAN SAHAM: 868

Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 3A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 0ns,