Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
IPP60R1K4C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R1K4C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 73244

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V,

Wishlist.
IPU60R600C6AKMA1
Infineon Technologies

IPU60R600C6AKMA1

BAGIAN SAHAM: 128352

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.
IRF2204PBF
Infineon Technologies

IRF2204PBF

BAGIAN SAHAM: 31347

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 130A, 10V,

Wishlist.
IRFP044NPBF
Infineon Technologies

IRFP044NPBF

BAGIAN SAHAM: 40108

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 29A, 10V,

Wishlist.
IRFS3307ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFS3307ZTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 50972

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP06CN10NGXKSA1

BAGIAN SAHAM: 1949

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPD60R650CEATMA1
Infineon Technologies

IPD60R650CEATMA1

BAGIAN SAHAM: 1940

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.
IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD80R2K8CEBTMA1

BAGIAN SAHAM: 1874

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V,

Wishlist.
IRF2804STRLPBF
Infineon Technologies

IRF2804STRLPBF

BAGIAN SAHAM: 41497

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IPU80R2K8CEBKMA1
Infineon Technologies

IPU80R2K8CEBKMA1

BAGIAN SAHAM: 1856

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V,

Wishlist.
IRFS7530-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS7530-7PPBF

BAGIAN SAHAM: 14416

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
SPI11N65C3HKSA1
Infineon Technologies

SPI11N65C3HKSA1

BAGIAN SAHAM: 2039

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
IRFH7188TRPBF
Infineon Technologies

IRFH7188TRPBF

BAGIAN SAHAM: 1906

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
IPU60R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies

IPU60R1K0CEBKMA1

BAGIAN SAHAM: 1979

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
IPP147N12N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP147N12N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 9819

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 56A, 10V,

Wishlist.
IRFS7434PBF
Infineon Technologies

IRFS7434PBF

BAGIAN SAHAM: 1871

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPS65R1K5CEAKMA1
Infineon Technologies

IPS65R1K5CEAKMA1

BAGIAN SAHAM: 110997

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
IRFH7191TRPBF
Infineon Technologies

IRFH7191TRPBF

BAGIAN SAHAM: 65161

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 48A, 10V,

Wishlist.
IPB65R045C7ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R045C7ATMA1

BAGIAN SAHAM: 9205

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.9A, 10V,

Wishlist.
IRF8327STR1PBF
Infineon Technologies

IRF8327STR1PBF

BAGIAN SAHAM: 1809

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R255P6AUMA1

BAGIAN SAHAM: 60011

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 255 mOhm @ 6.4A, 10V,

Wishlist.
IRFR2407TRPBF
Infineon Technologies

IRFR2407TRPBF

BAGIAN SAHAM: 115801

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
IPD60R2K1CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD60R2K1CEBTMA1

BAGIAN SAHAM: 197598

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 760mA, 10V,

Wishlist.
IRFS3207ZTRRPBF
Infineon Technologies

IRFS3207ZTRRPBF

BAGIAN SAHAM: 44389

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IRL40B209
Infineon Technologies

IRL40B209

BAGIAN SAHAM: 23076

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPA65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPA65R190CFDXKSA1

BAGIAN SAHAM: 10207

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wishlist.
IPD80R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies

IPD80R1K4CEBTMA1

BAGIAN SAHAM: 1916

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V,

Wishlist.
IRFS7434-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS7434-7PPBF

BAGIAN SAHAM: 1800

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPP80N04S2H4AKSA2
Infineon Technologies

IPP80N04S2H4AKSA2

BAGIAN SAHAM: 6274

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRLS3813PBF
Infineon Technologies

IRLS3813PBF

BAGIAN SAHAM: 53058

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 148A, 10V,

Wishlist.
IPD60R400CEATMA1
Infineon Technologies

IPD60R400CEATMA1

BAGIAN SAHAM: 156972

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist.
IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R1K4P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 50856

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V,

Wishlist.
SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies

SPP11N60CFDHKSA1

BAGIAN SAHAM: 2007

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
IRFR4104TRPBF
Infineon Technologies

IRFR4104TRPBF

BAGIAN SAHAM: 88373

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V,

Wishlist.
IPS70R600CEAKMA1
Infineon Technologies

IPS70R600CEAKMA1

BAGIAN SAHAM: 2004

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.
IRFP4310ZPBF
Infineon Technologies

IRFP4310ZPBF

BAGIAN SAHAM: 20438

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.