Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

IRFS4615TRLPBF

IRFS4615TRLPBF

BAGIAN SAHAM: 78087

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

Wishlist.
IPL65R420E6AUMA1

IPL65R420E6AUMA1

BAGIAN SAHAM: 76682

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wishlist.
IRL3803VPBF

IRL3803VPBF

BAGIAN SAHAM: 43087

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 71A, 10V,

Wishlist.
SPP08N80C3XK

SPP08N80C3XK

BAGIAN SAHAM: 2306

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V,

Wishlist.
IPS80R750P7AKMA1

IPS80R750P7AKMA1

BAGIAN SAHAM: 39592

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
IRF540NLPBF

IRF540NLPBF

BAGIAN SAHAM: 46439

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
IPI80P03P405AKSA1

IPI80P03P405AKSA1

BAGIAN SAHAM: 59280

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRFC3006EB

IRFC3006EB

BAGIAN SAHAM: 2168

Wishlist.
IPP80P04P4L06AKSA1

IPP80P04P4L06AKSA1

BAGIAN SAHAM: 74676

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF

BAGIAN SAHAM: 39867

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V,

Wishlist.
IPC95R750P7X7SA1
Wishlist.
IPL65R660E6AUMA1

IPL65R660E6AUMA1

BAGIAN SAHAM: 97941

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist.
IPA65R310DEXKSA1
Wishlist.
IPD50N06S4L12ATMA1

IPD50N06S4L12ATMA1

BAGIAN SAHAM: 2059

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
IPL65R460CFDAUMA1

IPL65R460CFDAUMA1

BAGIAN SAHAM: 76285

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wishlist.
IPI11N60C3AAKSA2
Wishlist.
IRFC4115EB

IRFC4115EB

BAGIAN SAHAM: 2086

Wishlist.
SPS02N60C3BKMA1

SPS02N60C3BKMA1

BAGIAN SAHAM: 150134

Wishlist.
IPSA70R1K4P7SAKMA1

IPSA70R1K4P7SAKMA1

BAGIAN SAHAM: 8088

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 700mA, 10V,

Wishlist.
IRFS4229TRLPBF

IRFS4229TRLPBF

BAGIAN SAHAM: 30884

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.
IPD50R3K0CEBTMA1

IPD50R3K0CEBTMA1

BAGIAN SAHAM: 109323

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 13V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 13V,

Wishlist.
IPI120N06S4H1AKSA2

IPI120N06S4H1AKSA2

BAGIAN SAHAM: 2104

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IRFH7194TRPBF

IRFH7194TRPBF

BAGIAN SAHAM: 2173

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 21A, 10V,

Wishlist.
IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

BAGIAN SAHAM: 27601

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 8.9A, 10V,

Wishlist.
IRLC8743EB

IRLC8743EB

BAGIAN SAHAM: 2131

Wishlist.
IPP80P04P405AKSA1

IPP80P04P405AKSA1

BAGIAN SAHAM: 2167

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IPC60R190P6X7SA1
Wishlist.
SPD50P03LGXT

SPD50P03LGXT

BAGIAN SAHAM: 2307

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
IRFC4020D

IRFC4020D

BAGIAN SAHAM: 2107

Wishlist.
IRF6706S2TR1PBF

IRF6706S2TR1PBF

BAGIAN SAHAM: 6298

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.
IRLR7807ZTRPBF

IRLR7807ZTRPBF

BAGIAN SAHAM: 187545

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
IPC80N04S403ATMA1

IPC80N04S403ATMA1

BAGIAN SAHAM: 2082

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
IPP120N06S402AKSA2

IPP120N06S402AKSA2

BAGIAN SAHAM: 2117

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPP80N06S4L05AKSA2

IPP80N06S4L05AKSA2

BAGIAN SAHAM: 2169

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 40A, 4.5V,

Wishlist.
IPLU300N04S4R7XTMA2

IPLU300N04S4R7XTMA2

BAGIAN SAHAM: 2316

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.76 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.