Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

SIPC30N60CFDX1SA1

BAGIAN SAHAM: 2230

SIPC26N60CFDX1SA1

BAGIAN SAHAM: 2244

IPC60R190E6X7SA1

BAGIAN SAHAM: 2312

IRFC4104EB

BAGIAN SAHAM: 2158

IPU60R1K4C6AKMA1

BAGIAN SAHAM: 193303

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V,

IPP120N06S403AKSA2

BAGIAN SAHAM: 6273

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

IRLC8259ED

BAGIAN SAHAM: 2102

IRF2204SPBF

BAGIAN SAHAM: 19749

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 130A, 10V,

IRFC4227ED

BAGIAN SAHAM: 2167

IPD60R380E6BTMA1

BAGIAN SAHAM: 2150

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.8A, 10V,

IRF6623

BAGIAN SAHAM: 5697

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V,

IPC60R380E6UNSAWNX6SA1

BAGIAN SAHAM: 2258

IPB020N10N5ATMA1

BAGIAN SAHAM: 23473

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

SPB02N60S5ATMA1

BAGIAN SAHAM: 2338

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

IPC60R380E6X7SA1

BAGIAN SAHAM: 2296

IPL60R2K1C6SATMA1

BAGIAN SAHAM: 148130

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 760mA, 10V,

IRF520NPBF

BAGIAN SAHAM: 66586

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5.7A, 10V,

IPP80N06S405AKSA2

BAGIAN SAHAM: 79071

IRFC3004EB

BAGIAN SAHAM: 2178

IPI120P04P404AKSA1

BAGIAN SAHAM: 46674

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 100A, 10V,

IPU80R1K2P7AKMA1

BAGIAN SAHAM: 53072

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V,

IPS031N03LGAKMA1

BAGIAN SAHAM: 2172

IRFC8721ED

BAGIAN SAHAM: 2127

IRFC3710ZEB

BAGIAN SAHAM: 2186

IPS70R600CEAKMA2

BAGIAN SAHAM: 189204

IPD06N03LB G

BAGIAN SAHAM: 2345

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 50A, 10V,

IRF9540NSTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 95092

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

SPP80N06S08NK

BAGIAN SAHAM: 2346

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 80A, 10V,

IRLC8256ED

BAGIAN SAHAM: 2131

SPP04N80C3XK

BAGIAN SAHAM: 2281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,

IRFC3205ZEB

BAGIAN SAHAM: 2163

IPI120P04P4L03AKSA1

BAGIAN SAHAM: 46612

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

IRFC3206EB

BAGIAN SAHAM: 2166

IPP80P04P407AKSA1

BAGIAN SAHAM: 74726

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 80A, 10V,

IPP023NE7N3G

BAGIAN SAHAM: 2314

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

IPC90R120C3X1SA1

BAGIAN SAHAM: 5923