Transistor - FET, MOSFET - Array | Produk Semikonduktor Diskrit | 1

EPC2105ENGRT

BAGIAN SAHAM: 13745

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

Wishlist.

EPC

EPC2100

BAGIAN SAHAM: 18949

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Wishlist.

EPC

EPC2104ENGRT

BAGIAN SAHAM: 13673

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Wishlist.

EPC

EPC2101ENGRT

BAGIAN SAHAM: 13969

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 2mA,

Wishlist.

EPC

EPC2103ENGRT

BAGIAN SAHAM: 13895

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist.

EPC

EPC2111ENGRT

BAGIAN SAHAM: 43248

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 5mA,

Wishlist.

EPC

EPC2101ENG

BAGIAN SAHAM: 2948

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 2mA,

Wishlist.

EPC

EPC2100ENGRT

BAGIAN SAHAM: 14216

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Wishlist.

EPC

EPC2106ENGRT

BAGIAN SAHAM: 88131

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 600µA,

Wishlist.

EPC

EPC2102ENGRT

BAGIAN SAHAM: 14073

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tj), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist.

EPC

EPC2103

BAGIAN SAHAM: 23026

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist.

EPC

EPC2105

BAGIAN SAHAM: 24303

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

Wishlist.

EPC

EPC2100ENG

BAGIAN SAHAM: 2900

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

Wishlist.

EPC

EPC2105ENG

BAGIAN SAHAM: 2911

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

Wishlist.

EPC

EPC2103ENG

BAGIAN SAHAM: 2868

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist.

EPC

EPC2104

BAGIAN SAHAM: 24318

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Wishlist.

EPC

EPC2106

BAGIAN SAHAM: 24307

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 600µA,

Wishlist.

EPC

EPC2102ENG

BAGIAN SAHAM: 2960

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist.

EPC

EPC2102

BAGIAN SAHAM: 24374

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Wishlist.

EPC

EPC2104ENG

BAGIAN SAHAM: 2913

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

Wishlist.

EPC

EPC2107ENGRT

BAGIAN SAHAM: 82626

Tipe FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Wishlist.

EPC

EPC2107

BAGIAN SAHAM: 79571

Tipe FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Wishlist.

EPC

EPC2111

BAGIAN SAHAM: 48430

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 5mA,

Wishlist.

EPC

EPC2110ENGRT

BAGIAN SAHAM: 67578

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 700µA,

Wishlist.

EPC

EPC2101

BAGIAN SAHAM: 21570

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

Wishlist.

EPC

EPC2110

BAGIAN SAHAM: 26911

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 700µA,

Wishlist.

EPC

EPC2108

BAGIAN SAHAM: 83651

Tipe FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Wishlist.