Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
DMN3110S-7
Diodes Incorporated

DMN3110S-7

BAGIAN SAHAM: 173400

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 3.1mA, 10V,

Wishlist.
DMN1054UCB4-7
Diodes Incorporated

DMN1054UCB4-7

BAGIAN SAHAM: 125297

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
ZXMN2A01E6TA
Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TA

BAGIAN SAHAM: 174722

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
DMP6110SFDF-7
Diodes Incorporated

DMP6110SFDF-7

BAGIAN SAHAM: 125687

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated

DMN53D0LW-7

BAGIAN SAHAM: 181488

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,

Wishlist.
DMN10H170SFG-13
Diodes Incorporated

DMN10H170SFG-13

BAGIAN SAHAM: 103511

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
DMN10H170SFDE-7
Diodes Incorporated

DMN10H170SFDE-7

BAGIAN SAHAM: 195132

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
DMN6013LFGQ-13
Diodes Incorporated

DMN6013LFGQ-13

BAGIAN SAHAM: 136532

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
DMP2035UFCL-7
Diodes Incorporated

DMP2035UFCL-7

BAGIAN SAHAM: 157838

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 4.5V,

Wishlist.
DMN2013UFDE-7
Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

BAGIAN SAHAM: 105872

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMN61D9UWQ-7
Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-7

BAGIAN SAHAM: 9995

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
DMN3042LFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3042LFDF-7

BAGIAN SAHAM: 199263

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
DMN3115UDM-7
Diodes Incorporated

DMN3115UDM-7

BAGIAN SAHAM: 165079

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 6A, 4.5V,

Wishlist.
DI9400T
Diodes Incorporated

DI9400T

BAGIAN SAHAM: 1448

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated

DMN6140LQ-7

BAGIAN SAHAM: 196295

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

Wishlist.
DMP1245UFCL-7
Diodes Incorporated

DMP1245UFCL-7

BAGIAN SAHAM: 141543

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated

DMG6968UQ-7

BAGIAN SAHAM: 172708

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMP21D0UFD-7
Diodes Incorporated

DMP21D0UFD-7

BAGIAN SAHAM: 162281

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 820mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Wishlist.
ZXMN3A04KTC
Diodes Incorporated

ZXMN3A04KTC

BAGIAN SAHAM: 1448

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated

DMN67D8LW-7

BAGIAN SAHAM: 158207

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
DMN1019USN-7
Diodes Incorporated

DMN1019USN-7

BAGIAN SAHAM: 163598

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

Wishlist.
DMP2035UFDF-7
Diodes Incorporated

DMP2035UFDF-7

BAGIAN SAHAM: 103231

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

Wishlist.
DMN3009SFG-13
Diodes Incorporated

DMN3009SFG-13

BAGIAN SAHAM: 116225

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
ZXMP6A17GQTA
Diodes Incorporated

ZXMP6A17GQTA

BAGIAN SAHAM: 164284

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
DMN55D0UTQ-7
Diodes Incorporated

DMN55D0UTQ-7

BAGIAN SAHAM: 106166

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 100mA, 4V,

Wishlist.
DMG1013TQ-7
Diodes Incorporated

DMG1013TQ-7

BAGIAN SAHAM: 104017

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 460mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 350mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-7

BAGIAN SAHAM: 141417

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

Wishlist.
ZXMN2B03E6TA
Diodes Incorporated

ZXMN2B03E6TA

BAGIAN SAHAM: 156010

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V,

Wishlist.
DMP2012SN-7
Diodes Incorporated

DMP2012SN-7

BAGIAN SAHAM: 9937

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Wishlist.
DMG2301U-7
Diodes Incorporated

DMG2301U-7

BAGIAN SAHAM: 135955

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Wishlist.
DMN2100UDM-7
Diodes Incorporated

DMN2100UDM-7

BAGIAN SAHAM: 197324

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 6A, 4.5V,

Wishlist.
DMP2040UFDF-7
Diodes Incorporated

DMP2040UFDF-7

BAGIAN SAHAM: 141471

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V,

Wishlist.
DMG3407SSN-7
Diodes Incorporated

DMG3407SSN-7

BAGIAN SAHAM: 135683

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.1A, 10V,

Wishlist.
DMN53D0L-7
Diodes Incorporated

DMN53D0L-7

BAGIAN SAHAM: 170335

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated

DMN1045UFR4-7

BAGIAN SAHAM: 180659

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Wishlist.
DMG4468LFG-7
Diodes Incorporated

DMG4468LFG-7

BAGIAN SAHAM: 112053

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V,

Wishlist.