Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

AOD5T40P_101

BAGIAN SAHAM: 2281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 1A, 10V,

AOD526_DELTA

BAGIAN SAHAM: 2324

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4TL60

BAGIAN SAHAM: 6236

AO4476AL_101

BAGIAN SAHAM: 6299

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO6085N03

BAGIAN SAHAM: 6236

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6414G

BAGIAN SAHAM: 2299

AO4476AL

BAGIAN SAHAM: 2255

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO4476G

BAGIAN SAHAM: 2332

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

AOD418G

BAGIAN SAHAM: 2318

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT240L

BAGIAN SAHAM: 40984

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON7418A

BAGIAN SAHAM: 2224

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6764

BAGIAN SAHAM: 2273

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6372

BAGIAN SAHAM: 6225

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON4605_002

BAGIAN SAHAM: 2263

AOD4185_DELTA

BAGIAN SAHAM: 6259

AOD413A_002

BAGIAN SAHAM: 2224

AO6409_DELTA

BAGIAN SAHAM: 2305

AO3424_102

BAGIAN SAHAM: 6306

AO3419_101

BAGIAN SAHAM: 2233

AO3423_102

BAGIAN SAHAM: 2275

AO3416_104

BAGIAN SAHAM: 2284

AO3415L_107

BAGIAN SAHAM: 2282

AO3415_108

BAGIAN SAHAM: 6278

AO3406_104

BAGIAN SAHAM: 2286

AO3409_103

BAGIAN SAHAM: 2287

AO3404A_104

BAGIAN SAHAM: 2245

AO3402_103

BAGIAN SAHAM: 2283

AOD4185L_DELTA

BAGIAN SAHAM: 2225

AO3400A_101

BAGIAN SAHAM: 2208

APT5SM170S

BAGIAN SAHAM: 2313

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

BAGIAN SAHAM: 2239

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

BAGIAN SAHAM: 2305

Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A,

APT130SM70J

BAGIAN SAHAM: 2271

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

BAGIAN SAHAM: 2237

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

AUXHMF1404ZSTRL

BAGIAN SAHAM: 6282

AUIRLR024ZTRL

BAGIAN SAHAM: 141585

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,