Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

AOTF296L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF296L

BAGIAN SAHAM: 40296

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOTF4N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF4N60L

BAGIAN SAHAM: 78769

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOW11N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW11N60

BAGIAN SAHAM: 51973

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOB414
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB414

BAGIAN SAHAM: 127352

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOB29S50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB29S50L

BAGIAN SAHAM: 32149

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOTF12N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF12N60L

BAGIAN SAHAM: 45865

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT8N80L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT8N80L

BAGIAN SAHAM: 41380

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 4A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOTF11S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF11S65L

BAGIAN SAHAM: 31593

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 5.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOTF7T60PL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF7T60PL

BAGIAN SAHAM: 73284

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT260L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT260L

BAGIAN SAHAM: 22611

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT8N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT8N50

BAGIAN SAHAM: 76331

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOTF12T60PL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF12T60PL

BAGIAN SAHAM: 46357

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOTF15S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF15S60L

BAGIAN SAHAM: 28620

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT266L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT266L

BAGIAN SAHAM: 33016

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT460
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT460

BAGIAN SAHAM: 5263

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOWF12T60P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF12T60P

BAGIAN SAHAM: 46353

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT11S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT11S60L

BAGIAN SAHAM: 33042

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOK60N30L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK60N30L

BAGIAN SAHAM: 19173

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT1N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT1N60

BAGIAN SAHAM: 107755

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT20S60L

BAGIAN SAHAM: 22197

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT2500L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT2500L

BAGIAN SAHAM: 19106

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOT460_002
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT460_002

BAGIAN SAHAM: 2383

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
AON7426_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7426_101

BAGIAN SAHAM: 2447

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

Untuk Wishlist.
AOTF8N65_002
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF8N65_002

BAGIAN SAHAM: 2416

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

Untuk Wishlist.
AOTF8N50_003
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF8N50_003

BAGIAN SAHAM: 6308

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

Untuk Wishlist.
AOTF8N50_002
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF8N50_002

BAGIAN SAHAM: 2379

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

Untuk Wishlist.
AOTF7N60_002
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF7N60_002

BAGIAN SAHAM: 2412

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

Untuk Wishlist.
AOTF4N60_002
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF4N60_002

BAGIAN SAHAM: 2413

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

Untuk Wishlist.
AUIRF5210STRL
Infineon Technologies

AUIRF5210STRL

BAGIAN SAHAM: 37628

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 38A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLS8409-7P
Infineon Technologies

AUIRLS8409-7P

BAGIAN SAHAM: 13543

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRF540Z
Infineon Technologies

AUIRF540Z

BAGIAN SAHAM: 32131

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 22A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS8405
Infineon Technologies

AUIRFS8405

BAGIAN SAHAM: 26469

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFB8405
Infineon Technologies

AUIRFB8405

BAGIAN SAHAM: 56680

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFR5410
Infineon Technologies

AUIRFR5410

BAGIAN SAHAM: 42912

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 7.8A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRF3710ZS
Infineon Technologies

AUIRF3710ZS

BAGIAN SAHAM: 24265

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS8407-7P
Infineon Technologies

AUIRFS8407-7P

BAGIAN SAHAM: 21458

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

Untuk Wishlist.