Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

AOD403_DELTA

BAGIAN SAHAM: 2127

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD4102L

BAGIAN SAHAM: 2167

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 12A, 10V,

AOD403_030

BAGIAN SAHAM: 2111

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD206_030

BAGIAN SAHAM: 2125

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 46A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 4.5V,

AO6411

BAGIAN SAHAM: 2171

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V,

AO7403_001

BAGIAN SAHAM: 2111

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 700mA, 4.5V,

AO5404E_001

BAGIAN SAHAM: 2169

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO5404EL

BAGIAN SAHAM: 2148

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO4771L

BAGIAN SAHAM: 2144

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V,

AO4710L_101

BAGIAN SAHAM: 6241

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

AO4488L_101

BAGIAN SAHAM: 2124

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

AO4498EL

BAGIAN SAHAM: 2189

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

AO4485_102

BAGIAN SAHAM: 2105

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4404BL_101

BAGIAN SAHAM: 2103

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.5A, 10V,

AO4437L

BAGIAN SAHAM: 2175

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

AO4202_120

BAGIAN SAHAM: 2149

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

AOY516

BAGIAN SAHAM: 6234

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6516_151

BAGIAN SAHAM: 6224

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

AON7548

BAGIAN SAHAM: 6244

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AOD526

BAGIAN SAHAM: 2176

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOI452A

BAGIAN SAHAM: 2100

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

AOD516_051

BAGIAN SAHAM: 6275

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

AOD518_051

BAGIAN SAHAM: 2140

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

AOB20C60

BAGIAN SAHAM: 6275

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOD4160

BAGIAN SAHAM: 2097

AOB11C60

BAGIAN SAHAM: 2095

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

AO4304_001

BAGIAN SAHAM: 6227

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

AO4264

BAGIAN SAHAM: 2161

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

AUXMOS20956STR

BAGIAN SAHAM: 2131

AUXS20956S

BAGIAN SAHAM: 2187

APT80SM120S

BAGIAN SAHAM: 2172

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120J

BAGIAN SAHAM: 2121

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120B

BAGIAN SAHAM: 2112

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT70SM70J

BAGIAN SAHAM: 6264

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT70SM70S

BAGIAN SAHAM: 2124

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT25SM120S

BAGIAN SAHAM: 2166

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,