| Tipe | Deskripsi |
| Status Bagian | Active |
|---|---|
| Tipe FET | N-Channel |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 20V |
| Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 2.5V, 4.5V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Maks) | ±12V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 273pF @ 10V |
| Fitur FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipasi Daya (Maks) | 1.7W (Ta) |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Jenis pemasangan: | Surface Mount |
| Paket Perangkat Pemasok | MicroFET 3x3mm |
| Paket / Kasus | 6-WDFN Exposed Pad |
| ROHS Status | Compliant RoHS. |
|---|---|
| Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
| Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
| Stok kategori. | Stok tersedia |
