| Tipe | Deskripsi |
| Status Bagian | Obsolete |
|---|---|
| Tipe FET | P-Channel |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 20V |
| Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (Maks) | ±8V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Fitur FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipasi Daya (Maks) | 1.4W (Ta) |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Jenis pemasangan: | Surface Mount |
| Paket Perangkat Pemasok | MicroFET 2x2 Thin |
| Paket / Kasus | 6-UDFN Exposed Pad |
| ROHS Status | Compliant RoHS. |
|---|---|
| Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
| Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
| Stok kategori. | Stok tersedia |
