Transistor - FET, MOSFET - Array | Produk Semikonduktor Diskrit | 5

MP6K14TCR

BAGIAN SAHAM: 2899

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M51TB1

BAGIAN SAHAM: 2655

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

BAGIAN SAHAM: 2793

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M4FU6TB

BAGIAN SAHAM: 74678

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M8FU6TB

BAGIAN SAHAM: 119511

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K5TB

BAGIAN SAHAM: 2680

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K5FU6TB

BAGIAN SAHAM: 180120

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M5TB

BAGIAN SAHAM: 2649

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M10FU6TB

BAGIAN SAHAM: 2786

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8J3FU6TB

BAGIAN SAHAM: 139446

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M6TB

BAGIAN SAHAM: 2678

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8J4TB

BAGIAN SAHAM: 2713

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K24FU6TB

BAGIAN SAHAM: 76064

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

MP6M14TCR

BAGIAN SAHAM: 2917

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8J1FU6TB

BAGIAN SAHAM: 98693

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M9TB

BAGIAN SAHAM: 2650

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K1TB

BAGIAN SAHAM: 2651

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

MP6K31TCR

BAGIAN SAHAM: 2841

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K1FU6TB

BAGIAN SAHAM: 152435

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

UM5K1NTR

BAGIAN SAHAM: 2679

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

MP6K11TCR

BAGIAN SAHAM: 2911

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K4FU6TB

BAGIAN SAHAM: 82282

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K3FU6TB

BAGIAN SAHAM: 110124

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M3TB

BAGIAN SAHAM: 2700

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M7FU6TB

BAGIAN SAHAM: 2829

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

EM5K5T2R

BAGIAN SAHAM: 118220

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K4TB

BAGIAN SAHAM: 2701

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M6FU6TB

BAGIAN SAHAM: 2843

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M7TB

BAGIAN SAHAM: 2650

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M10TB

BAGIAN SAHAM: 2633

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

EM6K6T2R

BAGIAN SAHAM: 176106

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

TT8M1TR

BAGIAN SAHAM: 124589

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8K2FU6TB

BAGIAN SAHAM: 118884

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

MP6K12TCR

BAGIAN SAHAM: 2916

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SP8M9FU6TB

BAGIAN SAHAM: 2786

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

US5K3TR

BAGIAN SAHAM: 2728

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A,

Wishlist.