Penyimpanan | Sirkuit Terpadu (IC) | 22

BR24G02FVM-3GTTR

BAGIAN SAHAM: 103563

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01FJ-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 190320

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02FJ-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 164829

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02FVJ-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 144108

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR93G56F-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 10786

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Frekuensi Jam: 3MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR93G46F-3BGTE2

BAGIAN SAHAM: 52

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (64 x 16), Frekuensi Jam: 3MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G04FVM-3AGTTR

BAGIAN SAHAM: 125423

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 4Kb (512 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR93G46NUX-3ATTR

BAGIAN SAHAM: 121

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (64 x 16), Frekuensi Jam: 3MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G08NUX-3TTR

BAGIAN SAHAM: 171646

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 8Kb (1K x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G04NUX-3ATTR

BAGIAN SAHAM: 121681

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 4Kb (512 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24T02FV-WE2

BAGIAN SAHAM: 177059

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G04F-3AGTE2

BAGIAN SAHAM: 192640

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 4Kb (512 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01F-3AGTE2

BAGIAN SAHAM: 117987

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02FVM-3AGTTR

BAGIAN SAHAM: 191525

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01FVT-3AGE2

BAGIAN SAHAM: 102116

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G16FV-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 199942

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 16Kb (2K x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G08F-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 198537

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 8Kb (1K x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BRCF016GWZ-3E2

BAGIAN SAHAM: 9914

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 16Kb (2K x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02NUX-3ATTR

BAGIAN SAHAM: 157144

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01NUX-3ATTR

BAGIAN SAHAM: 179444

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02NUX-3TTR

BAGIAN SAHAM: 151261

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G04F-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 178809

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 4Kb (512 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G16FVT-3GE2

BAGIAN SAHAM: 129852

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 16Kb (2K x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02FVT-3AGE2

BAGIAN SAHAM: 189915

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 1MHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G08FV-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 145932

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 8Kb (1K x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G08FVT-3GE2

BAGIAN SAHAM: 168008

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 8Kb (1K x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24T02FV-WGE2

BAGIAN SAHAM: 73

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G04FV-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 194009

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 4Kb (512 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01F-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 135976

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01FVT-3GE2

BAGIAN SAHAM: 159146

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01FVM-3GTTR

BAGIAN SAHAM: 138288

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02FV-3GTE2

BAGIAN SAHAM: 114618

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G01NUX-3TTR

BAGIAN SAHAM: 106614

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 1Kb (128 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

BR24G02FVT-3GE2

BAGIAN SAHAM: 104066

Jenis Memori: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Ukuran memori: 2Kb (256 x 8), Frekuensi Jam: 400kHz, Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 5ms,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60J3FAR1

BAGIAN SAHAM: 4252

Jenis Memori: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Ukuran memori: 16Mb (4M x 4), Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 110ns,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60T3DR1

BAGIAN SAHAM: 4261

Jenis Memori: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Ukuran memori: 16Mb (4M x 4), Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman: 110ns,

Wishlist.