Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

RJK03M5DPA-00#J5A

RJK03M5DPA-00#J5A

BAGIAN SAHAM: 119831

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
RJK0855DPB-00#J5

RJK0855DPB-00#J5

BAGIAN SAHAM: 66646

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
RJK60S7DPP-E0#T2

RJK60S7DPP-E0#T2

BAGIAN SAHAM: 6052

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
RJK60S7DPK-M0#T0

RJK60S7DPK-M0#T0

BAGIAN SAHAM: 6348

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.