Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
NP15P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP15P06SLG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1126

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
NP74N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP74N04YUG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1233

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Wishlist.
NP75P04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP75P04YLG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1153

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 37.5A, 10V,

Wishlist.
NP80N055MHE-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N055MHE-S18-AY

BAGIAN SAHAM: 1152

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N055NDG-S18-AY

BAGIAN SAHAM: 1173

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NP100P06PLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P06PLG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1204

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NP36P04KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P04KDG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1151

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
NP160N04TDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N04TDG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1181

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
RJK0353DPA-01#J0B
Renesas Electronics America

RJK0353DPA-01#J0B

BAGIAN SAHAM: 164042

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist.
RJK0851DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0851DPB-00#J5

BAGIAN SAHAM: 125161

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
NP160N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N055TUJ-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1194

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NP80N055KLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP80N055KLE-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1211

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NP160N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N04TUJ-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 6194

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NP60N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP60N04MUG-S18-AY

BAGIAN SAHAM: 1119

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NP180N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP180N04TUJ-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1197

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist.
NP60N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP60N03SUG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1234

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NP88N075KUE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP88N075KUE-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1209

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 44A, 10V,

Wishlist.
NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P04SDG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1154

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
RJK6024DPD-00#J2
Renesas Electronics America

RJK6024DPD-00#J2

BAGIAN SAHAM: 1206

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
NP34N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP34N055SLE-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1144

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.
NP180N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP180N055TUJ-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 6170

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist.
RJK0451DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0451DPB-00#J5

BAGIAN SAHAM: 125147

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist.
NP88N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP88N04NUG-S18-AY

BAGIAN SAHAM: 1135

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 44A, 10V,

Wishlist.
NP50P04KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P04KDG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1131

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
NP82N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP82N04NUG-S18-AY

BAGIAN SAHAM: 1158

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 41A, 10V,

Wishlist.
NP35N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP35N04YUG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1203

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist.
NP55N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP55N03SUG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1169

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.
NP80N06MLG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N06MLG-S18-AY

BAGIAN SAHAM: 6116

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NP32N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP32N055SLE-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1182

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
NP36P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P06SLG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1185

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
NP82N04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP82N04PDG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1131

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 41A, 10V,

Wishlist.
NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P04PLG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1193

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P04PDG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 24318

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NP22N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP22N055SLE-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1154

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
NP80N06PLG-E1B-AY
Renesas Electronics America

NP80N06PLG-E1B-AY

BAGIAN SAHAM: 1172

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NP50P03YDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P03YDG-E1-AY

BAGIAN SAHAM: 1191

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.