Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
BUK761R7-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK761R7-40E,118

BAGIAN SAHAM: 64866

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7880-55/CUF
Nexperia USA Inc.

BUK7880-55/CUF

BAGIAN SAHAM: 137946

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BUK7107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7107-55ATE,118

BAGIAN SAHAM: 8606

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUK661R6-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK661R6-30C,118

BAGIAN SAHAM: 63697

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9628-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9628-55A,118

BAGIAN SAHAM: 154200

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
BUK6D43-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK6D43-60EX

BAGIAN SAHAM: 24356

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BUK7Y18-75B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-75B,115

BAGIAN SAHAM: 197618

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BUK6D120-60PX
Nexperia USA Inc.

BUK6D120-60PX

BAGIAN SAHAM: 24343

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
BUK9840-55/CUX
Nexperia USA Inc.

BUK9840-55/CUX

BAGIAN SAHAM: 139579

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V,

Wishlist.
BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y104-100B,115

BAGIAN SAHAM: 164195

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M14-40EX

BAGIAN SAHAM: 179377

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
BUK964R8-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK964R8-60E,118

BAGIAN SAHAM: 72266

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK765R0-100E,118
Nexperia USA Inc.

BUK765R0-100E,118

BAGIAN SAHAM: 47693

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6610-75C,118

BAGIAN SAHAM: 112806

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK763R9-60E,118

BAGIAN SAHAM: 64641

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9230-100B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9230-100B,118

BAGIAN SAHAM: 59587

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9275-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9275-100A,118

BAGIAN SAHAM: 172654

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
BUK6217-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6217-55C,118

BAGIAN SAHAM: 159020

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
BUK7219-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7219-55A,118

BAGIAN SAHAM: 184579

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9215-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9215-55A,118

BAGIAN SAHAM: 184578

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9240-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9240-100A,118

BAGIAN SAHAM: 151749

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9207-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9207-30B,118

BAGIAN SAHAM: 152477

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK6209-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6209-30C,118

BAGIAN SAHAM: 102855

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK96180-100A,118

BAGIAN SAHAM: 147944

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK9614-60E,118

BAGIAN SAHAM: 122604

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
BUK7Y4R4-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y4R4-40EX

BAGIAN SAHAM: 176281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7Y7R8-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y7R8-80EX

BAGIAN SAHAM: 118582

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9Y6R0-60E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y6R0-60E,115

BAGIAN SAHAM: 141695

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7E2R6-60E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E2R6-60E,127

BAGIAN SAHAM: 29265

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9Y19-75B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-75B,115

BAGIAN SAHAM: 140943

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BUK765R3-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK765R3-40E,118

BAGIAN SAHAM: 141625

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9209-40B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9209-40B,118

BAGIAN SAHAM: 149318

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7210-55B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7210-55B,118

BAGIAN SAHAM: 152495

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9219-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9219-55A,118

BAGIAN SAHAM: 172078

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7222-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7222-55A,118

BAGIAN SAHAM: 187022

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK663R2-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK663R2-40C,118

BAGIAN SAHAM: 91480

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.