Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
IXTH36N20T
IXYS

IXTH36N20T

BAGIAN SAHAM: 25576

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc),

Wishlist.
IXTA36N20T
IXYS

IXTA36N20T

BAGIAN SAHAM: 28387

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc),

Wishlist.
IXTA98N075T7
IXYS

IXTA98N075T7

BAGIAN SAHAM: 34194

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 98A (Tc),

Wishlist.
IXKP10N60C5
IXYS

IXKP10N60C5

BAGIAN SAHAM: 25791

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wishlist.
IXTA15P15T
IXYS

IXTA15P15T

BAGIAN SAHAM: 29566

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
IXTA300N04T2-7
IXYS

IXTA300N04T2-7

BAGIAN SAHAM: 16176

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
IXTP44N25T
IXYS

IXTP44N25T

BAGIAN SAHAM: 28114

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

Wishlist.
IXKP13N60C5M
IXYS

IXKP13N60C5M

BAGIAN SAHAM: 21784

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.
IXTP44N15T
IXYS

IXTP44N15T

BAGIAN SAHAM: 33977

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

Wishlist.
IXTH44N30T
IXYS

IXTH44N30T

BAGIAN SAHAM: 18194

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

Wishlist.
IXTQ160N10T
IXYS

IXTQ160N10T

BAGIAN SAHAM: 21652

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
IXFP12N50PM
IXYS

IXFP12N50PM

BAGIAN SAHAM: 29681

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
IXTA8N50P
IXYS

IXTA8N50P

BAGIAN SAHAM: 26372

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
IXTQ54N30T
IXYS

IXTQ54N30T

BAGIAN SAHAM: 16793

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc),

Wishlist.
IXTQ14N60P
IXYS

IXTQ14N60P

BAGIAN SAHAM: 21983

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
IXTA2N100
IXYS

IXTA2N100

BAGIAN SAHAM: 20012

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
IXTA2N80
IXYS

IXTA2N80

BAGIAN SAHAM: 21299

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IXTH16P20
IXYS

IXTH16P20

BAGIAN SAHAM: 17700

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IXTH48N20T
IXYS

IXTH48N20T

BAGIAN SAHAM: 22543

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc),

Wishlist.
IXTP1N80
IXYS

IXTP1N80

BAGIAN SAHAM: 26916

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IXTP12N50PM
IXYS

IXTP12N50PM

BAGIAN SAHAM: 28021

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
IXKP13N60C5
IXYS

IXKP13N60C5

BAGIAN SAHAM: 21965

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.
IXFP130N10T
IXYS

IXFP130N10T

BAGIAN SAHAM: 26089

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
IXTQ56N15T
IXYS

IXTQ56N15T

BAGIAN SAHAM: 27551

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Tc),

Wishlist.
IXKP20N60C5
IXYS

IXKP20N60C5

BAGIAN SAHAM: 15855

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
IXTP36N30T
IXYS

IXTP36N30T

BAGIAN SAHAM: 28068

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IXFA16N50P
IXYS

IXFA16N50P

BAGIAN SAHAM: 22546

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
IXTA36N30T
IXYS

IXTA36N30T

BAGIAN SAHAM: 27008

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IXTY2N100P
IXYS

IXTY2N100P

BAGIAN SAHAM: 30758

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IXTP110N055P
IXYS

IXTP110N055P

BAGIAN SAHAM: 24755

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IXTA10N60P
IXYS

IXTA10N60P

BAGIAN SAHAM: 27251

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
IXTH90N15T
IXYS

IXTH90N15T

BAGIAN SAHAM: 18231

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V,

Wishlist.
IXTQ44N30T
IXYS

IXTQ44N30T

BAGIAN SAHAM: 18958

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

Wishlist.
IXTA27N20T
IXYS

IXTA27N20T

BAGIAN SAHAM: 33120

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Tc),

Wishlist.
IXTP38N15T
IXYS

IXTP38N15T

BAGIAN SAHAM: 34896

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Tc),

Wishlist.
IXTA56N15T
IXYS

IXTA56N15T

BAGIAN SAHAM: 28394

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.