Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

IXFT24N50

BAGIAN SAHAM: 6486

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

IXFT40N30Q

BAGIAN SAHAM: 6743

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFR12N100

BAGIAN SAHAM: 9222

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 6A, 10V,

Wishlist.

IXTH10P50

BAGIAN SAHAM: 6496

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

IXFX62N25

BAGIAN SAHAM: 6563

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 31A, 10V,

Wishlist.

IXTT88N15

BAGIAN SAHAM: 6970

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V,

Wishlist.

IXFT32N50Q

BAGIAN SAHAM: 5323

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

IXTH13N110

BAGIAN SAHAM: 3543

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFH20N80Q

BAGIAN SAHAM: 4722

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

IXFH22N55

BAGIAN SAHAM: 8867

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 550V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

IXFT58N20Q

BAGIAN SAHAM: 5967

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 29A, 10V,

Wishlist.

IXFH80N10Q

BAGIAN SAHAM: 5356

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.

IXFR26N50

BAGIAN SAHAM: 6871

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

IXFH67N10

BAGIAN SAHAM: 8866

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 33.5A, 10V,

Wishlist.

IXFH10N100

BAGIAN SAHAM: 8861

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 5A, 10V,

Wishlist.

IXFH20N60

BAGIAN SAHAM: 8848

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

IXFH32N50

BAGIAN SAHAM: 5952

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

IXFH15N60

BAGIAN SAHAM: 8919

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFT24N50Q

BAGIAN SAHAM: 7279

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

IXFH13N50

BAGIAN SAHAM: 8893

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.

IXFR24N50

BAGIAN SAHAM: 7291

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

IXFN150N10

BAGIAN SAHAM: 8835

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.

IXFH6N100

BAGIAN SAHAM: 7227

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFX15N100

BAGIAN SAHAM: 4866

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.

IXFH10N90

BAGIAN SAHAM: 8829

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,

Wishlist.

IXFK44N50

BAGIAN SAHAM: 8857

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.

IXFH58N20Q

BAGIAN SAHAM: 8942

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 29A, 10V,

Wishlist.

IXFH35N30

BAGIAN SAHAM: 5895

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFH6N90

BAGIAN SAHAM: 8866

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.

IXFQ21N50Q

BAGIAN SAHAM: 9650

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Tc),

Wishlist.

IXFQ24N50Q

BAGIAN SAHAM: 8382

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc),

Wishlist.

IXTV130N15T

BAGIAN SAHAM: 12209

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc),

Wishlist.

IXKP35N60C5

BAGIAN SAHAM: 8657

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.

IXTT36N50P

BAGIAN SAHAM: 8581

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFT70N15

BAGIAN SAHAM: 7797

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.

IXTV120N15T

BAGIAN SAHAM: 12268

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc),

Wishlist.

2148

«
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
»