Transistor - FET, MOSFET - Array | Produk Semikonduktor Diskrit | 11

BSL207NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 2845

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 11µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL308PEL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 3339

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 11µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL308CL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 2842

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 11µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL314PEL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 3308

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 6.3µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSD840N L6327

BAGIAN SAHAM: 2834

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 880mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 750mV @ 1.6µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL306NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 3344

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 11µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL315PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 2825

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 11µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL215CL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 2784

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL215PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 2866

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 11µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL205NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 5353

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 11µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSD235N L6327

BAGIAN SAHAM: 3373

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 950mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL214NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 2788

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSL316CL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 2849

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 3.7µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSD235C L6327

BAGIAN SAHAM: 2795

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BTS7904BATMA1

BAGIAN SAHAM: 2849

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 40µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSD223P L6327

BAGIAN SAHAM: 2843

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 390mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO200N03

BAGIAN SAHAM: 2769

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 13µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO350N03

BAGIAN SAHAM: 2710

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 6µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO150N03

BAGIAN SAHAM: 2753

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 25µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO303PNTMA1

BAGIAN SAHAM: 2695

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 100µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO615CT

BAGIAN SAHAM: 2762

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 20µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO4804T

BAGIAN SAHAM: 2714

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 30µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO612CV

BAGIAN SAHAM: 2724

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 20µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO615N

BAGIAN SAHAM: 2704

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 20µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO215C

BAGIAN SAHAM: 2649

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 10µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO4804

BAGIAN SAHAM: 2708

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 30µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO207PNTMA1

BAGIAN SAHAM: 2681

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 40µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO203PNTMA1

BAGIAN SAHAM: 2677

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 100µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO204PNTMA1

BAGIAN SAHAM: 2710

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 60µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSD223P

BAGIAN SAHAM: 3281

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 390mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSD235NH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 196176

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 950mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO211PNTMA1

BAGIAN SAHAM: 2608

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 25µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO220N03MDGXUMA1

BAGIAN SAHAM: 21576

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSC150N03LDGATMA1

BAGIAN SAHAM: 32315

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSO150N03MDGXUMA1

BAGIAN SAHAM: 53402

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

BSG0810NDIATMA1

BAGIAN SAHAM: 66407

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A, 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

Wishlist.