Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0906NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 186905

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ068N06NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 182964

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSC090N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC090N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 170812

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC014N04LSTATMA1
Infineon Technologies

BSC014N04LSTATMA1

BAGIAN SAHAM: 16515

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies

BSZ086P03NS3EGATMA1

BAGIAN SAHAM: 16570

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSC014N04LSIATMA1
Infineon Technologies

BSC014N04LSIATMA1

BAGIAN SAHAM: 61407

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC160N15NS5ATMA1

BAGIAN SAHAM: 72783

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.
BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC026NE2LS5ATMA1

BAGIAN SAHAM: 154580

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0901NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 16599

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ088N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ088N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 162357

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSZ0589NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0589NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 152540

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
BSC020N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC020N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 118300

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC036NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC036NE7NS3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 50526

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BSC010N04LSTATMA1
Infineon Technologies

BSC010N04LSTATMA1

BAGIAN SAHAM: 16526

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies

BSC097N06NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 179136

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC900N20NS3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 16593

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.6A, 10V,

Wishlist.
BSZ165N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ165N04NSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 16510

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSC130P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC130P03LSGAUMA1

BAGIAN SAHAM: 16579

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 22.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 22.5A, 10V,

Wishlist.
BSZ0909NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0909NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 159981

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 34V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSZ088N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ088N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 143671

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSB014N04LX3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB014N04LX3GXUMA1

BAGIAN SAHAM: 16560

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies

BSZ018NE2LSIATMA1

BAGIAN SAHAM: 16507

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSC882N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC882N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 146645

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 34V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSZ075N08NS5ATMA1

BAGIAN SAHAM: 125045

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSB013NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies

BSB013NE2LXIXUMA1

BAGIAN SAHAM: 16579

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC024NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC024NE2LSATMA1

BAGIAN SAHAM: 16599

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC025N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC025N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 143497

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC120N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC120N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 105622

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC034N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC034N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 197142

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC017N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSC017N04NSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 16503

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BSB028N06NN3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB028N06NN3GXUMA1

BAGIAN SAHAM: 16573

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC030N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC030N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 181445

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ100N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 155577

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSP320SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP320SH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 127092

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Wishlist.
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC060N10NS3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 71214

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUZ73L
Infineon Technologies

BUZ73L

BAGIAN SAHAM: 92

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Wishlist.