Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

BAGIAN SAHAM: 884

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wishlist.
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 873

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 914

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

BAGIAN SAHAM: 855

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

Wishlist.
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 886

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

Wishlist.
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS7728NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 6115

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
BSS84PL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS84PL6433HTMA1

BAGIAN SAHAM: 768

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS670S2LL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 5631

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

Wishlist.
BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS308PEL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 747

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS316NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 804

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist.
BSS214NW L6327
Infineon Technologies

BSS214NW L6327

BAGIAN SAHAM: 6119

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS306NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 6076

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,

Wishlist.
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS214NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 803

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
BSS209PW L6327
Infineon Technologies

BSS209PW L6327

BAGIAN SAHAM: 817

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 580mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

Wishlist.
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 722

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 719

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Wishlist.
BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 783

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Wishlist.
BSS139L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6906HTSA1

BAGIAN SAHAM: 765

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Wishlist.
BSS138W L6327
Infineon Technologies

BSS138W L6327

BAGIAN SAHAM: 784

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BSS138W L6433
Infineon Technologies

BSS138W L6433

BAGIAN SAHAM: 726

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS127L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 810

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wishlist.
BSS138NL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS138NL6433HTMA1

BAGIAN SAHAM: 726

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Wishlist.
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 754

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wishlist.
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6906HTSA1

BAGIAN SAHAM: 769

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wishlist.
BSR92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR92PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 734

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 140mA, 10V,

Wishlist.
BSS119L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS119L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 792

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.
BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR316PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 775

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 360mA, 10V,

Wishlist.
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP322PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 811

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP321PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 714

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 980mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 980mA, 10V,

Wishlist.
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies

BSF045N03MQ3 G

BAGIAN SAHAM: 777

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies

BSC152N10NSFGATMA1

BAGIAN SAHAM: 801

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP89H6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 183471

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Wishlist.
BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP92PH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 175847

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Wishlist.
BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP170PH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 177989

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Wishlist.
BSS225H6327FTSA1
Infineon Technologies

BSS225H6327FTSA1

BAGIAN SAHAM: 122139

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Wishlist.
BSS131L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS131L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 673

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.